JoVE Logo

Sign In

10.5 : أساسيات أشباه الموصلات

يتم توليد التيار الكهربائي في أشباه الموصلات بشكل أساسي بواسطة آليتين: الانجراف والانتشار. تعتبر هذه العمليات ضرورية لوظيفة وأداء الأجهزة القائمة على أشباه الموصلات.

الانجراف الحالي:

يبدأ انجراف حاملات الشحنة بواسطة مجال كهربائي خارجي (E). تتعرض الجسيمات المشحونة، مثل الإلكترونات والثقوب، لتسارع بين الاصطدامات مع ذرات الشبكة. بالنسبة للإلكترونات، يؤدي ذلك إلى سرعة الانجراف (v_d) التي تعطى بواسطة:

Equation 1

حيث μ_e هي حركة الإلكترون و E هي شدة المجال الكهربائي.

يمكن التعبير عن كثافة التيار (J) الناتجة عن انجراف الإلكترونات (J_n) والثقوب (J_p) على النحو التالي:

Equation 2

حيث q هي الشحنة الأولية، وn وp هما تركيزات الإلكترونات والثقوب، على التوالي، وμn وμp هما حركية الإلكترونات والثقوب. إجمالي كثافة تيار الانجراف (J_total) هو مجموع كثافات الإلكترون وتيار الثقب:

Equation 3

إن التوصيل (σ) هو إذن مجموع منتجات كثافة الشحنة والتنقل لكل نوع من أنواع الموجات الحاملة:

Equation 4

الانتشار الحالي:

يحدث الانتشار نتيجة للحركة الحرارية للحاملات، التي تنتقل من مناطق ذات تركيز أعلى إلى مناطق ذات تركيز أقل. الكثافة الحالية (J_diffusion) هي:

Equation 5

D_n وD_p هما معاملا الانتشار للإلكترونات والثقوب، على التوالي، وdn/dx وdp/dx هما تدرج التركيز للإلكترونات والثقوب.

تربط علاقات أينشتاين بين معامل الحركة والانتشار لكل من الإلكترونات والثقوب:

Equation 6

حيث k هو ثابت بولتزمان، وT هي درجة الحرارة المطلقة.

عند وجود كل من المجال الكهربائي وتدرج التركيز، تكون كثافة التيار الإجمالية هي مجموع مكونات الانجراف والانتشار. في تطبيقات العالم الحقيقي، يتم تحليل هذه الظواهر باستخدام معادلات أشباه الموصلات، وهي مجموعة من المعادلات التفاضلية التي تصف سلوك حاملات الشحنة في أشباه الموصلات.

Tags

SemiconductorsDrift CurrentDiffusion CurrentCharge CarriersElectron MobilityElectric FieldCurrent DensityConcentration GradientsDiffusion CoefficientsEinstein RelationsSemiconductor EquationsThermal MotionConductivity

From Chapter 10:

article

Now Playing

10.5 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

397 Views

article

10.1 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

703 Views

article

10.2 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

556 Views

article

10.3 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

511 Views

article

10.4 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

505 Views

article

10.6 : أساسيات أشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

460 Views

article

10.7 : انحياز تقاطع P-N

Basics of Semiconductors

408 Views

article

10.8 : الوصلات المعدنية وأشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

282 Views

article

10.9 : انحياز الوصلات المعدنية وأشباه الموصلات

Basics of Semiconductors

204 Views

article

10.10 : مستوى فيرمي

Basics of Semiconductors

467 Views

article

10.11 : ديناميكيات مستوى فيرمي

Basics of Semiconductors

217 Views

JoVE Logo

Privacy

Terms of Use

Policies

Research

Education

ABOUT JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved