Bu çalışma, ABD Deniz Kuvvetleri Araştırma Laboratuvarının Temel Araştırma Programı aracılığıyla ASEE-NRL doktora sonrası öğretim üyesi ve Deniz Araştırmaları Ofisi tarafından desteklenmiştir. Yazarlar teknik desteği için NRL&#39;de C. Kindle&#39;a teşekkür ederler.

1. Si Çerçevelerin Mikrofabrikasyonu <ol><li> 180 μm kalınlığında bir Si gofret üzerinde spin-kaplama (3000 rpm ve 30 s) SPR220-7 fotorezistir (PR). Gofreti tamamen kaplamak için yeterli PR kullanın. Gofretin kristal düzlem yönelimi önemli değildir. </li><li> Yumuşak, 60 ° C&#39;de 2 dakika PR tabaka (yaklaşık 7.5 μm kalınlığında) ve ardından sıcak plaka üzerinde 115 ° C&#39;de 90 sn pişirin. </li><li> PR katmanını, Si çerçevesinin şeklini tanımlamak için ışık geçmesine izin veren desenli bir krom / cam fotomask aracılığıyla ultraviyole ışığa maruz bırakın. Bu adım ve bir sonraki adım için standart fotolitografi ekipmanı ve işlemlerini kullanın ( Şekil 2a-b ). </li><li> Si gravürü PR ile seyreltilmemiş MF 24A veya MF 319&#39;da yaklaşık 1 dakika batırarak fotomakardan maruz bırakılan desenler geliştirin ( Şekil 2c ). Desenli PR katmanı Adım 1.6 sırasında maske görevi görür. </li><li> 180 μm kalınlığında Si gofretini 500 um kalınlığında bir desteye bağlayınDaha kolay kullanım için düşük erime noktalı bir geçici yapıştırıcı kullanın (ayrıntılar için Malzeme Tablosuna bakın). Yapıştırıcıyı sıcak bir plaka (70 ° C) kullanarak bir cam kabın içinde ısıtın ve destek gofretini kaplamak için yeterli yapıştırıcıyı kullanın. Daha sonra hafifçe 180 μm kalınlığında Si gofreti 500 μm kalınlığında gofretin üzerine bastırın ( Şekil 2d ). </li><li> Serbest duran yapılar oluşturmak için üstteki silikon gofretten yukarıya doğru oyulmalıdır. Aşındırma aşaması için SF 6 ve C 4 F 8 gazı ile Bosch prosesini kullanan, ticari olarak temin edilen indüktif olarak bağlanmış plazma reaktif iyon aşındırma sistemlerinin herhangi bir sayısını kullanın. Bosch sürecinde, pasifizasyon tabakası biriktirme ve plazma aşındırma dönüşümlü döngüleri, çoğunlukla bozulmamış yan çeperler ile derin kazınmış açmalara neden olur (Şekil 2e). <ol><li> Depolama sırasında 5 saniye boyunca SF 6 ve C 4 F 8&#39;ün 3 ve 100 sccm akışlarıyla başlayın ve SF 6 ve C 4 F&#39;nin 100 ve 2.5 sccm&#39;si <subAşındırma sırasındaki 7 saniye boyunca&gt; 8. Gerektiğinde, cihaza bağlı parametreleri (akış hızı, gazlar arasındaki oran ve biriktirme ve aşındırma adımları için zaman aralıkları) ayarlayın. </li></ol></li><li> Her 20 dakikada bir, aletlere ve etüv pişirme reçetesine özgü etit oranını kalibre etmek için eteğindeki oyuk derinliğini bir profilometre kullanarak ölçün. </li><li> Destek Si gofretini çıkarın ve bir gecede aseton emdirerek geçici yapıştırıcıyı ve PR&#39;yi çıkararak ince Si gofreti temizleyin ( Şekil 2f ). Ardından, ince gofreti deiyonize (DI) su ile iyice durulayın. </li><li> SiH 4 , N 2 O ve N 2 gazları ile piyasada bulunan plazma güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemi ( Şekil 2g ) kullanarak Si çerçevesinin her iki tarafına 300 ° C&#39;de bir SiO2 yalıtım katmanı yerleştirin. Standart SiO 2 çökelme reçetelerini kullanın, örneğin % 5 SiH4 170 sccm ve N2O 710 sccm kullanın, 2-3 um kalınlığında bir SiO2 tabakasının çökeltilmesi. </li><li> Tek tek dikdörtgen Si çerçevelerini çevreleyen yapılara bağlayan sekmeleri kırın. Optik bir mikroskop altında keskin cımbız kullanın ( Şekil 2h ). </li></ol> 2. Metalik Örneklerin Lazerle Şekillendirilmesi <ol><li> 5.0 cm x 5.0 cm bakır folyoyu (% 99,99 saflık; kesim tablosu ) kesin ve bantla bir cam slayta yapıştırın . Her iki yüzü 1 μm kalınlığında bir PR tabaka ile döndürün. Lazer teknikleriyle geniş bir kalınlıktaki (100 μm&#39;ye kadar) bir folyo kesilebilirken, gösteri için iki farklı kalınlık (13 μm ve 25 μm) kullanın. Yüzeyi tamamen kaplamak için yeterli PR kullanın. PR&#39;yi 115 ° C&#39;de 2 dakika pişirin. PR, bakır folyonun yüzeyini lazer kesim adımı sırasında üretilen enkazdan korumak ve örnek kirişlerin kimyasal aşındırılmasına izin vermek için (bkz. Adım 2.4), bunu etkilemeksizin gereklidirE folyosunun yüzeyi. </li><li> ~ 90 ns darbe genişliği ile 50 kHz&#39;de 355 nm, 10 watt, katı hal, frekans üçe katlanmış Nd: YVO 4 darbeli lazer kullanarak, herbiri 4 mm uzunluğunda bir bakır çerçeve ile tutulan 5 x 4 ayrı numuneden oluşan bir dizi kesin 1 mm genişliğinde ( Şekil 3b ). </li><li> Lazer ışını, bakır folyonun yüzeyinde 65 mJ / cm2&#39;lik bir akışkana ayarlayın. Bu, aşırı ısınmaya ve / veya bitişik bakırın hasara uğramadan bakırın iki geçişinde kesilmesi için yeterli lazer enerjisi sağlar. Her numune için desen, bir seferde 20 numuneyi üreten bakır folyoyu kesmek için lazer ışını tarayan bir Galvo tarama aynası tarafından üretilir ( Şekil 3a ). Lazerle kesilen numune kirişinin 30 μm (13 um kalın folyosu için) genişliğini 50 um (25 um kalın folyo için) olarak ayarlayın. </li><li> Numune dizisini kimyasal olarak 40 santigrad derecede 40-60 ° C&#39;de 30 s (13 um kalın folyo için) veya 40 s (tHasar görmüş lazer kesimli kenarları kaldırmak, tek tek numune kirişlerinin genişliğini 20 μm&#39;nin altına düşürmek ( Şekil 3c ) ve pürüzsüz kiriş kenar profili üretmek için 25 μm kalınlığında folyo kullanın. </li><li> Dizileri, ilk asetonun ayrı çözücü banyolarına, daha sonra metanol, ardından izopropanol daldırarak koruyucu foto rezistansı çıkarın ve daha sonra azot ile kurutun. Numune dizilerini kuru nitrojen desikatörde saklayın. Yukarıdaki imalat adımlarının kesit şematikliği Şekil 3d&#39;de gösterilmektedir. </li><li> Lazer kullanarak, numune dizisinin etrafındaki kutuyu kesip, bakır folyodan geri kalan kısmından serbest bırakın. </li></ol> 3. Montaj ve Yerinde TEM Deneyleri <ol><li> Mini makas kullanarak tek bir örneği (bakır çerçevesi dahil) çıkarın. Silikon çerçeve üzerine az miktarda gümüş epoksi yerleştirin ve numuneyi optik bir mikroskopta dikkatle hizalayın; böylece numune ölçeri,Çerçeve ( Şekil 4a ). </li><li> Adım 3.1&#39;e benzer şekilde, gümüş telleri (çap olarak 50 μm) gümüş epoksi ile numunenin her iki ucuna bağlayın ( Şekil 5c ). </li><li> Birden fazla omuz ile nanometre ölçek bölümünü (100 nm x 10 μm x 10 μm) oluşturmak için odaklanmış iyon demeti (FIB) frezeleme kullanın. Gösterge bölümünden uzaklaşan aşamalı olarak daha kalın kesitler, akım yoğunluklarında yumuşak bir geçiş, gösterge bölümünde daha düzgün bir akım yoğunluğu üretmek ve herhangi bir omuzda lokalize ısıtmayı en aza indirgemek anlamına gelir. Hasarı en aza indirgemek için bakır örneklerinin son frezelemesinde azaltılmış ivme kazanılan voltajı (5 kV) ve akımı (&lt;80 pA) kullanın. Ölçüm aletinin kesit alanını taramalı elektron mikroskopu (SEM) görüntüleri ( Şekil 4b-e ve 5b ) kullanarak ölçün. </li><li> Örnek çerçeveleri lazerle kesme, FIB veya mini makasla çıkarın (bkz. Şekil 4a&#39;daki ek). Resimde olmasa da, o konumuF Ölçü bölümüne muhtemel maddi hasarları en aza indirgemek için, kesim ideal olarak gösterge bölümünden uzakta olmalıdır. </li><li> MEMTS&#39;i optik bir mikroskop altında tek bir eğilme sıkıştırma TEM tutacağı üzerine yerleştirin (bakınız Malzeme Tablosu ) ve daha sonra cıvatalar ve iletken olmayan pullar kullanarak bağlayın. Yıkayıcılar, montaj sırasında istenmeyen torsiyonu önlemek için kullanılır. 50 W CO 2 lazer sistemi kullanarak sert elyaf elektriksel sınıf tabakasından desenli pullar (0,5 mm kalınlıkta) kullanın (lazer kesme sırasında spesifik parametreler için Malzeme Tablosu&#39;na bakın). </li><li> Adım 3.2&#39;deki gümüş telleri TEM tutacağı üzerindeki metalik pimlere ( Şekil 5a ) gümüş iletken epoksi kullanarak bağlayın. </li><li> Taşınabilir veya masaüstü multimetre kullanarak, gösterge bölümünün kırılmadığını doğrulamak için MEMTS boyunca direnci kontrol edin ( Şekil 1&#39;deki B ve C). Direnç 100 Ω&#39;dan düşük olmalıdır. MEMT arasındaki direnci de ölçünS ve elektrikle topraklanmış TEM numune tutacağı, numune ile TEM tutacağı arasında elektrikli bir çapraz konuşmanın olmadığını doğrulamaktadır. Örnek izole edilmişse, ölçülen direnç 10 MΩ&#39;dan büyük olmalıdır. </li><li> In situ deneyler için TEM haznesini MEMTS ile birlikte TEM&#39;ye yerleştirin. </li><li> Elektrik akımı kontrolü için TEM odacığının dışından numuneye DC giriş sinyalleri uygulamak için TEM tutacağındaki dahili elektrik bağlantılarına bir harici DC güç kaynağı bağlayın (bkz. Tablo ). Elektrik bağlantı yerleri TEM haznesi üreticilerine bağlı olacaktır, ancak bu çalışma için bağlantılar tutma yeri tutamağının üzerinde bulunur ve besleme kaynağından TEM numunelerine gç uygulamak için pim bağlayıcılar kullanılır. Giriş akımının kesit alanına bölünmesiyle ( Şekil 5b&#39;deki SEM görüntüsünden elde edilen) gösterge bölümünde nominal akım yoğunluğunu elde edin. NOT: Tek eğimEğitim TEM tutucu, ayrı bir yer değiştirme kontrolörü ( Tabla Malzemesi ) tarafından kontrol edilen dahili bir aktüatör içerir. </li><li> Mekanik ve elektrik yüklemesini kontrol ederken, izleyen adımlar sırasında TEM görüntüleri alın. Diğer gerilme ve akım yüklemeleri de kullanılabilir. </li><li> Aynı anda bir veya daha fazla yer değiştirmenin hareketi gözlenene kadar yerleşik piezo aktüatörün çözünürlüğüne (bu örnekte 0,34 nm) bağlı olarak küçük adımlarla artan bir şekilde çekme gerinimi uygulayın. Bu, termal ve / veya elektrik enerjisindeki ilave bir artışın ek bir hareket oluşturması için çok önemli bir adımdır. </li><li> Numunenin bir dakika boyunca dengelenmesine izin verin. </li><li> Numuneye bir giriş akım yoğunluğu uygulayın. Küçük çapraz kesit nedeniyle akım, büyük akım yoğunluklarında bile önemli derecede sıcaklık artışı ile sonuçlanmayacak kadar düşük olmalıdır ( <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq2.jpg" /> ) TO bölüm manzarası. Gösterge bölümünün merkezinde maksimum sıcaklık artışı, aşağıda açıklandığı gibi numune geometrisine ve malzeme özelliklerine bağlıdır. </li><li> Bir örneği kararlı duruma getirmek için, görüntü elde etmeden önce elektron ışınının altında bir dakika tutun ve akımı sabit tutun. Numunenin bu şekilde dengelenmesine izin vermek, mekanik veya elektrik yüklemesindeki değişikliklerden sonra geçerlidir. </li></ol>

<ol><li>Ross, C. D., Kronenberger, T. J., Roth, J. T. <a target="_blank" href="http://materialstechnology.asmedigitalcollection.asme.org/article.aspx?articleid=1428453">Effect of dc on the formability of Ti-6Al-4V.</a> J Eng Mater-T ASME. 131 (3), 031004(2009).</li>
<li>Siopis, M. S., Kinsey, B. L. <a target="_blank" href="http://manufacturingscience.asmedigitalcollection.asme.org/article.aspx?articleid=1469891">Experimental investigation of grain and specimen size effects during electrical-assisted forming.</a> J Manuf Sci Eng-T ASME. 132 (2), 021004(2010).</li>
<li>Green, C. R., McNeal, T. A., Roth, J. T. <a target="_blank" href="https://www.sme.org/uploadedFiles/Membership/Technical_Communities/Manufacturing_Education_and_Research/NAMRC-2009.pdf">Springback Elimination for Al-6111 Alloys Using Electrically Assisted Manufacturing (EAM).</a> 37th Annual North American Manufacturing Research Conference. 37, Greenville, SC. 403-410 (2009).</li>
<li>Okazaki, K., Kagawa, M., Conrad, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+study+of+the+electroplastic+effect+in+metals%5BTitle%5D)+AND+%22Scr+Mater%22%5BJournal%5D)">A study of the electroplastic effect in metals.</a> Scr Mater. 12 (11), 1063-1068 (1978).</li>
<li>Sprecher, A. F., Mannan, S. L., Conrad, H. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0001616086900015">Overview no. 49. On the mechanisms for the electroplastic effect in metals.</a> Acta Metall. 34 (7), 1145-1162 (1986).</li>
<li>Perkins, T. A., Kronenberger, T. J., Roth, J. T. <a target="_blank" href="http://manufacturingscience.asmedigitalcollection.asme.org/article.aspx?articleid=1450859">Metallic forging using electrical flow as an alternative to warm/hot working.</a> J Manuf Sci Eng-T ASME. 129 (1), 84-94 (2007).</li>
<li>Andrawes, J. S., Kronenberger, T. J., Perkins, T. A., Roth, J. T., Warley, R. L. <a target="_blank" href="http://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/10426910601016004">Effects of DC current on the mechanical behavior of AlMg1SiCu.</a> Mater Manuf Process. 22 (1), 91-101 (2007).</li>
<li>Dzialo, C. M., Siopis, M. S., Kinsey, B. L., Weinmann, K. J. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0007850610000156">Effect of current density and zinc content during electrical-assisted forming of copper alloys.</a> CIRP Ann Manuf Techn. 59 (1), 299-302 (2010).</li>
<li>Fan, R., Magargee, J., Hu, P., Cao, J. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092150931300258X">Influence of grain size and grain boundaries on the thermal and mechanical behavior of 70/30 brass under electrically-assisted deformation.</a> Mater Sci Eng A. 574, 218-225 (2013).</li>
<li>Magargee, J., Morestin, F., Cao, J. <a target="_blank" href="http://materialstechnology.asmedigitalcollection.asme.org/article.aspx?articleid=1698756">Characterization of Flow Stress for Commercially Pure Titanium Subjected to Electrically Assisted Deformation.</a> J Eng Mater Technol. 135 (4), 041003(2013).</li>
<li>Kinsey, B., Cullen, G., Jordan, A., Mates, S. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0007850613000590">Investigation of electroplastic effect at high deformation rates for 304SS and Ti-6Al-4V.</a> CIRP Ann - Manuf Technol. 62 (1), 279-282 (2013).</li>
<li>Williams, D. B., Carter, C. B. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aWilliams%2C+DB+%22Transmission+electron+microscopy%22">Transmission electron microscopy</a>. , 2nd edn, Springer. (2008).</li>
<li>Kang, W., Beniam, I., Qidwai, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In+situ+electron+microscopy+studies+of+electromechanical+behavior+in+metals+at+the+nanoscale+using+a+novel+microdevice-based+system%5BTitle%5D)+AND+%22Rev+Sci+Instrum%22%5BJournal%5D)">In situ electron microscopy studies of electromechanical behavior in metals at the nanoscale using a novel microdevice-based system.</a> Rev Sci Instrum. 87 (9), (2016).</li>
<li>Kim, M. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359646213005769">Electric current-induced annealing during uniaxial tension of aluminum alloy.</a> Scr Mater. 75, 58-61 (2014).</li>
<li>Knowles, M. R. H., Rutterford, G., Karnakis, D., Ferguson, A. <a target="_blank" href="http://link.springer.com/article/10.1007/s00170-007-0967-2">Micro-machining of metals, ceramics and polymers using nanosecond lasers.</a> Int J Adv Manuf Tech. 33 (1-2), 95-102 (2007).</li>
<li>Kang, W., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0960-1317/21/10/105017/meta">A novel SiC MEMS apparatus for in situ uniaxial testing of micro/nanomaterials at high temperature.</a> J Micromech Microeng. 21 (10), (2011).</li>
<li>Callister, W. D. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/5597908/">Materials Science and Engineering: An Introduction</a>. , 7th edn, John Wiley & Sons, Inc. (2007).</li>
<li>Kang, W., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/5597908/">A Novel Method for In Situ Uniaxial Tests at the Micro/Nano Scale-Part I: Theory.</a> J Microelectromech Syst. 19 (6), 1309-1321 (2010).</li>
<li>Kang, W., Han, J. H., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/5597909/">A Novel Method for In Situ Uniaxial Tests at the Micro/Nanoscale-Part II: Experiment.</a> J Microelectromech Syst. 19 (6), 1322-1330 (2010).</li>
<li>Kang, W. M., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201201992/abstract">In Situ Study of Size and Temperature Dependent Brittle-to-Ductile Transition in Single Crystal Silicon.</a> Adv Func Mater. 23 (6), 713-719 (2013).</li>
<li>Sim, G. D., Vlassak, J. J. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S135964621300568X">High-temperature tensile behavior of freestanding Au thin films.</a> Scr Mater. 75, 34-37 (2014).</li>
<li>Haque, M. A., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Deformation+mechanisms+in+free-standing+nanoscale+thin+films%3A+A+quantitative+in+situ+transmission+electron+microscope+study%5BTitle%5D)+AND+%22Proc+Natl+Acad+Sci+U+S+A%22%5BJournal%5D)">Deformation mechanisms in free-standing nanoscale thin films: A quantitative in situ transmission electron microscope study.</a> Proc Natl Acad Sci U S A. 101 (17), 6335-6340 (2004).</li>
<li>Zhu, Y., Espinosa, H. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((An+electromechanical+material+testing+system+for+in+situ+electron+microscopy+and+applications%5BTitle%5D)+AND+%22Proc+Natl+Acad+Sci+U+S+A%22%5BJournal%5D)">An electromechanical material testing system for in situ electron microscopy and applications.</a> Proc Natl Acad Sci U S A. 102 (41), 14503-14508 (2005).</li>
<li>Hosseinian, E., Pierron, O. N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Quantitative+in+situ+TEM+tensile+fatigue+testing+on+nanocrystalline+metallic+ultrathin+films%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">Quantitative in situ TEM tensile fatigue testing on nanocrystalline metallic ultrathin films.</a> Nanoscale. 5 (24), 12532-12541 (2013).</li>
<li>Kang, W., Rajagopalan, J., Saif, M. T. A. <a target="_blank" href="http://faculty.engineering.asu.edu/jagan/wp-content/uploads/2012/04/NNL.pdf">In Situ Uniaxial Mechanical Testing of Small Scale Materials-A Review.</a> Nanosci Nanotechnol Lett. 2 (4), 282-287 (2010).</li>
<li>Kang, W., Merrill, M., Wheeler, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In+Situ+Thermomechanical+Testing+Methods+for+Micro%2FNano-Scale+Materials%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">In Situ Thermomechanical Testing Methods for Micro/Nano-Scale Materials.</a> Nanoscale. , (2016).</li>
<li>Thompson, K., Gorman, B., Larson, D., Bv Leer,, Hong, L. <a target="_blank" href="https://www.cambridge.org/core/services/aop-cambridge-core/content/view/S1431927606065457">Minimization of Ga Induced FIB Damage Using Low Energy Clean-up.</a> Microsc Microanal. 12 (S02), 1736-1737 (2006).</li>
<li>Mayer, J., Giannuzzi, L. A., Kamino, T., Michael, J. <a target="_blank" href="http://www.nanolab.ucla.edu/pdf/MRS_Bulletin_2007_FIB_TEM_prep.pdf">TEM sample preparation and FIB-induced damage.</a> MRS Bulletin. 32 (5), 400-407 (2007).</li>
</ol>

Yazarlar, rekabet eden mali çıkarlarının olmadığını beyan ettiler.

Mikro / nanoteknoloji, 16 , 18 , 19 , 20 , 21 tarama ve transmisyon elektron mikroskopları 13 , 22 , 23 , 24 taraması da dahil olmak üzere analitik odalardaki malzeme davranışını karakterize etmek için güçlü araçlar sundu. Bu gibi yerinde test etme kabiliyeti, temel mikroyapılar ve altta yatan deformasyon mekanizmaları doğrudan yüksek çözünürlüklü elektron mikroskobu 25 , 26 kullanılarak gözlemlenebildiğinden, malzeme bilim ve mühendislik topluluğuna oldukça caziptir. Burada benzersiz adv özelliğini kullanarak malzeme numunelerinin birleştirilmiş elektriksel ve mekanik davranışlarını araştırmak için bir mikro cihaz tabanlı yöntem sundukIn situ TEM antages. Bu yaklaşımdaki adımlar fotolitografi, reaktif iyon ekstraksiyon ekipmanı, elektron mikroskopları ve burada kullanılan gibi yüksek kaliteli bir lazer işleme sistemine erişim ve eğitim yoluyla ortalama deneyim gerektirir. Numunelerin ve silikon tutucuların montajı basit yöntemlerle gerçekleştirilse de, gümüş epoksi ve basit bir ışık mikroskopu, numune ölçme alanına zarar vermemek için özen gösterilmelidir. Bu, numuneyi tutarken her zaman doğrudur. Bakır numunelerinin son FIB öğütme proseslerinde de dikkatli olunmalıdır. Nihai parlatma esnasında hızlandırıcı voltajın (5 kV) ve akımın (&lt;80 pA) 27 düşürülmesi olası numune hasarını 28 azaltacak ve pürüzsüz, hatasız bir ölçüm bölümü oluşturacaktır. Hatırlanması gereken bir diğer önemli nokta da, uygulanan elektronun gösterge bölümünden geçmesini sağlamak için TEM tutucudan elektriksel olarak izole edilmiş olan numunenin kontrol edilmesidirDeneme başladıktan sonra. Gofret işleme süreci, EAD örneği için iyi bir çerçeve oluşturmak için kritik olan bazı adımları içerir. 500 μm&#39;lik destekleyici gofreti, gofretler arasında üniform bir geçici yapışkan kaplama ile 180 μm&#39;lik gofrete geçici olarak bağlamak, kırılgan oyulmuş gofretin idaresinde yardımcı olmak açısından değil, aynı zamanda, plazma gravür işlemi sırasında ısı transferini de kolaylaştıran önemlidir. Yetersiz ısı transferi, PR maskesinin aşınmasına ve ardından silikon çerçevenin hedef dışı aşınmasına neden olabilir. Ayrıca kazınmış hendeğin derinliğini periyodik olarak ölçmek de önemlidir. İnce üst silikon gofretin tamamen oymalı olması gerekir, ancak destek gofretine ince bir gofret için homojen bir soğutucu olarak işlev görebilmek için asgari aşındırma yapılmalıdır. Son olarak, kazınmış gofretin aseton ile iyice temizlenmesi, ardından kalan suyun asgari seviyeye indirilmesi için SiO 2 çöktürmeden önce DI su ile durulanması önemlidir.sidues. Burada gösterilen EAD deneysel görüntüleri, beklenebilecekleri temsil eder ancak çözünürlük, dozaj ve çıkıkların daha iyi gözlenmesi ve sayısallaştırılmasına izin vermek için çerçeve oranı için değişiklikler yapılabilir. Ayrıca, görüntü işleme yazılımı gelişmiş çözünürlükte bir dizi TEM görüntü analiz etmek için kullanılabilir. MEMTS, elektromekanik malzeme davranışını incelemek için birçok benzersiz avantaj sunar. Bu sistem, makro ölçekli malzeme deformasyonlarını elektromekanik yükleme altında yöneten nanometre olaylarının doğrudan gözlemlenmesini sağlar. İkincisi, kesiti küçük olan numune ölçme kesitleri, düşük akım büyüklüğüyle önemli elektrik akım yoğunlukları uygulama kabiliyetini sağlar ve böylece yüksek güçlü aletler kullanıldığında doğabilecek güvenlik kaygılarını ortadan kaldırır. Örneğin, 1 mm 2 ölçme kesitine 1000 A / mm 2 akım yoğunluğu uygulamak yalnızca 1 kA&#39;ya ihtiyaç duyarGösterge kesiti 1 μm2&#39;ye düşürüldüyse 1 mA&#39;dir. Daha da önemlisi, termal yönetimde daha düşük bir akım yardımı kullanmak. MEMTS ayrıca uyum ve montajının pahalı ekipman gerektirmediği ve diğer mikro cihaz tabanlı montaj yöntemlerine kıyasla zaman alıcı olmadığı açısından benzersizdir. Burada açıklanan yöntem, metallerin, seramiklerin ve polimerlerin elektromekanik olarak test edilmesini sağlar; ancak bu malzeme sınıflarının her birindeki mikroyapıya bağlı elektromekanik davranışı keşfetmek için kullanılabilir. Örneğin, tek ve çok kristallik, tane yönü, tane boyutu, faz dağılımı ve elektromekanik davranış üzerindeki kusur yoğunluğunun etkisi, temsili numuneler hazırlanarak araştırılabilir. Bu kadar kapsamlı bir çalışmadan elde edilen bilgiler, EAD sürme mekanizmasını daha iyi anlamak ve EAD üretim yeteneklerini geliştirmek için gerekli anlayışı sağlayabilir. Daha çok konuşan BroaMEMS, bir termoelektrik kuplaj kullanan diğer cihazları incelemek için yararlı bir platform olabilir. Örneğin, termoelektrik soğutucularda kullanılan ve uygulanan voltajı, Seebeck etkisi yoluyla bir sıcaklık farkına dönüştüren malzemeleri gözlemlemek için kullanılabilir. Burada özetlenen süreci kullanarak gerçekleştirilen deneyler, henüz Joule ısıtmasının yokluğunda elektrikle desteklenen deformasyonu göstermekle birlikte, daha ileri deneylere ihtiyaç duyulmaktadır. Burada anlatılan işlem, küçük bir deney koşulları seti kullandı ve lokalize bir bölgeye odaklandı. EAD&#39;de tamamen elektriksel etkilerin varlığını veya yokluğunu daha kesin bir şekilde doğrulamak için birden çok malzeme, akım yoğunluğu ve zaman ölçeği kullanan daha kapsamlı bir deney seti gereklidir. Mevcut MEMTS yaklaşımının teknik olarak bir sınırlaması , yerinde deneyler sırasında bir numuneye etki eden kuvveti nicelik olarak belirleme kabiliyetinin yetersizliğidir. Güç önlemi gereklidir( Örn . Numunenin akış stresine ne zaman ulaştığını nicel olarak tanımlamak için) stres süzgeç verileri elde etmek ve yerinde gözlemlerle birleştirildiğinde doğrudan mikroyapı-mülkiyet ilişkileri sağlar. Bu eşsiz araştırma fırsatına doğru, şu anda entegre kuvvet sensörlerini birleştirmek için Si çerçevelerini değiştirmeye çalışıyoruz.

Elektriksel yardımlı deformasyon (EAD), dövme, damgalama, ekstrüzyon gibi metal deformasyon süreçleri için yararlı bir alettir. EAD prosesi deformasyon sırasında bir metal iş parçasına bir elektrik akımı uygulamayı, akış streslerini azaltarak metal şekillenebilirliği önemli ölçüde artırmayı, başarısızlık soylarını artırmayı ve bazen 1 , 2 , 3 oluşturduktan sonra geri dönüşü ortadan kaldırmayı içerir. Kullanımdaki artışa rağmen, EAD&#39;nin metal şekillendirmeyi geliştirdiği mekanizma konusunda fikir birliği yoktur. Bu makale, potansiyel olarak yarışan EAD mekanizmalarını izole etmek ve test sırasında yerinde mikro-yapısal incelemeyi mümkün kılan bir deney için numune hazırlama ve test prosedürünü açıklamaktadır. EAD&#39;ın metal şekillendirme üzerindeki etkisi için iki hipotez vardır. İlk hipotez, Joule ısıtma etkisi, staUygulanan akımın şekillendirme metalinde elektrik direnciyle karşılaşması, sıcaklığın artmasına ve malzeme yumuşamasına ve genleşmesine yol açtığına emin olun. İkinci bir hipotez elektroplastikite olarak adlandırılır; burada elektrik akımı, çıkık aktivasyon enerjisini düşürerek deformasyonu arttırır. Bu hipotezlerin her ikisi de 1970&#39;lerde mekanik olarak deforme olan metaller 4 , 5&#39;e uygulanan kısa süreli akım darbeleri içeren deneylerden ortaya çıkmıştır. Daha yakın tarihli çalışmalar tipik olarak imalat uygulamaları için daha alçak amper DC darbelerini içeriyor ancak araştırmacılar EAD verilerini yorumlamada aynı fikirde olmaya devam ediyor. Uygulanan elektrik akımı ve artan termal enerjinin yüksek bağlı doğası nedeniyle EAD verilerini yorumlamak zordur. Oldukça iletken metallerdeki küçük akım yoğunlukları bile malzeme sıcaklığını önemli ölçüde artırabilir; Örneğin , 1Çeşitli alüminyum ve bakır alaşımları 6 , 7 , 8 , 9 için 33-120 A / mm² akım yoğunluğunda 30-240 ° C. Bu sıcaklık değişimi elastik modülü, akma dayanımı ve akış stresini önemli ölçüde etkileyebilir, bu da termal ve elektro-plastik etkilerini ayırt etmeyi zorlaştırıyor. Bu zorluğun altını çizen son çalışmalar, Joule ısıtma hipotezi veya elektroflastiklik hipotezini destekleyerek bulunabilir. Örneğin, alüminyum, bakır ve titanyumun çeşitli alaşımlarındaki elektro-mekanik deformasyonu inceleyen araştırmacılar elektromakstiksiyonun artmış deformasyona katkıda bulunduğunu bildirmişlerdir, çünkü bu etki tek başına Joule ısıtması ile açıklanamamıştır 1 , 6 , 7 . Bu raporların aksine, EAD stres azaltılmasıItanium, paslanmaz çelik ve termal etkilere karşı Ti-6Al-4V 10 , 11 . Termal yönetim EAD araştırmasına özgü değildir, elektromekanik malzeme özelliklerini araştırırken genel olarak endişe kaynağıdır. Özellikle kütlenin merkezinin çevreden derin izole edildiği büyük örneklerde, düzgün bir sıcaklık muhafaza etmek zor olabilir. Numune boyutuyla ilgili bir diğer elektromekanik test denemesi, elektromekanik stresle ilgili temel mikroyapısal değişikliklerin yerinde ve gerçek zamanlı gözlemlerini gerçekleştirme kabiliyetidir. In situ TEM mekanik testleri standart test numuneleri 12 üzerinde rutin olarak yapılır, ancak numunelerin düzgün olmayan kesiti, akım yoğunluğunda geometri bağımlı varyasyonlar oluşturur ve ölçüm bölümü yakınındaki ısı transferini yaratır. Özetlemek gerekirse, EA&#39;nın gözlemlenmesi ve yorumlanmasındaki başlıca zorluklar<html> D mekanizmaları, numune boyutuyla ilgilidir ve şu şekilde özetlenebilir: 1) termoelektrik kuplaj, numune sıcaklığını etkiler, tek bir önerilen EAD mekanizmasının izole edilmesini zorlaştırır ve 2) standart test numuneleri ve prosedürleri, bir yerinde , gerçek zamanlı Uygulanan bir elektrik akımı altında bir malzemenin gerilim altında incelenmesi. Bu zorlukların üstesinden gelmek, elektrik akımı, mekanik yükleme ve sıcaklığı kontrol ederken bir transmisyon elektron mikroskobunda (TEM) ultra düşük hacim göstergesi olan bir numune üzerinde EAD deneyleri gerçekleştirmek suretiyle mümkündür. Bu makalede, bir JADE ısıtma etkisinin, bir mikro / nanometre ölçeği kesitine (10 μm x 10 μm x 100 nm) sahip bir örnek yapısı kullanarak daha büyük bir yere bağlandığı bir EAD deneyinin numune hazırlama ve test etme prosedürünü açıklamaktayız Stabilize destek çerçevesi. Analitik ve sayısal modelleme sayesinde,Bu konfigürasyon altında, yüksek akım yoğunlukları (~ 3,500 A / mm2) bile numunenin sıcaklığının (&lt;0,02 ° C) çok az artmasına neden olmuştur. Mikrodevri esaslı elektromekanik test sisteminin üç boyutlu bir şeması (MEMTS) Şekil 1&#39;de gösterilmiştir Burada sunulan yöntemin bir diğer önemli avantajı, sıklıkla 14&#39;de olduğu gibi test sonrası numunelerin incelenmesinden ziyade, numune yapısı ve destek çerçevesi doğrudan bir transmisyon elektron mikroskopuna ( TEM) numune tutacağı, hem elektrik hem de mekanik yükleri aynı anda uygulama kabiliyeti ile donatılmıştır.Bu kurulum, nano-atomik seviyeli çözünürlükte malzeme deformasyonunun yerinde gerçek zamanlı olarak gözlemlenmesini sağlar.Ancak burada özetlenen prosedür için tek kristal bakır numuneleri kullanılır , Yöntem, diğer materyal numunelerine uygulanacak kadar esnektirMetaller, seramikler ve polimerler 15 , 16 .

<table><tbody><tr><td>Silicon wafers</td><td></td><td></td><td>Any high-quality polished wafers of the correct thickness will work</td></tr><tr><td>Photoresist</td><td>Dow</td><td>SR220-7</td><td></td></tr><tr><td>Photoresist developer</td><td>Shipley</td><td>MF 24A</td><td></td></tr><tr><td>Photoresist developer</td><td>Rohm and Haas</td><td>MF 319</td><td></td></tr><tr><td>Temporary wafer adhesive</td><td></td><td>Crystalbond 509</td><td>Available from a variety of sources</td></tr><tr><td>Iductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching (CP-RIE) system</td><td>Oxford</td><td>Plasmalab system 100 ICP RIE</td><td></td></tr><tr><td>Profilometer</td><td>Veeco</td><td>Dektak 150</td><td></td></tr><tr><td>Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system</td><td>Oxford</td><td>Plasmalab system 100 PECVD</td><td></td></tr><tr><td>Thin specimen sheet</td><td>Surepure Chemetals</td><td>3702, 3703, 3704 or 2236</td><td>13 &amp;micro;m and 25 &amp;micro;m-thick copper, 99.99% 4N Pure</td></tr><tr><td>Photoresist</td><td>Shipley</td><td>1818</td><td></td></tr><tr><td>355 nm, 10 W, solid-state, frequency tripled Nd:YVO&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt; pulsed laser</td><td>JDSU</td><td>Q301-HD</td><td></td></tr><tr><td>Liquid ferric chloride</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>157740</td><td></td></tr><tr><td>Conductive silver epoxy</td><td>Chemtronics</td><td>CW2400</td><td></td></tr><tr><td>Silver wires</td><td></td><td></td><td>Any highly conductive metallic wires will work (&amp;lt;100 &amp;micro;m in diameter)</td></tr><tr><td>Focused Ion Beam (FIB)</td><td>FEI</td><td>Nova 600</td><td></td></tr><tr><td>Single tilt straining TEM holder</td><td>Gatan</td><td>654</td><td></td></tr><tr><td>Displacement controller</td><td>Gatan</td><td>902 Accutroller</td><td>May be sold with the TEM holder</td></tr><tr><td>CO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; laser cutter</td><td>Universal Laser Systems</td><td>VLS 3.50</td><td>Use 50% power and 15% speed</td></tr><tr><td>Electrical insulation sheet</td><td></td><td>0.5 mm-thick Hard Fiber Electrical Grade Sheet (Fishpaper)</td><td>Available from a variety of sources</td></tr><tr><td>Transmission Electron Microscope (TEM)</td><td>FEI</td><td>Tecnai G2</td><td></td></tr><tr><td>External power supply</td><td>Keithley</td><td>2400 SourceMeter</td><td></td></tr></tbody></table>

a novel method for in situ electromechanical characterization of nanoscale specimens

Elektrikle desteklenen deformasyon (EAD) sac metal haddeleme ve dövme işlemleri sırasında metallerin şekillendirilebilirliğini arttırmak için gittikçe artan bir şekilde kullanılmaktadır. Bu tekniğin benimsenmesi, EAD&#39;dan sorumlu altta yatan mekanizma ile ilgili anlaşmazlığa rağmen ilerlemektedir. Burada açıklanan deneysel prosedür, daha önceki EAD sonuçlarının yorumlanmasında uyuşmazlığın neden olduğu termal etkileri ortadan kaldırarak önceki EAD araştırmalarıyla karşılaştırıldığında daha açık bir çalışma sağlar. Ayrıca, burada açıklanan prosedür , transmisyon elektron mikroskobunda (TEM) yerinde ve gerçek zamanda EAD gözlemini mümkün kıldığından, test sonrası EAD etkilerini gözlemleyen mevcut ölüm sonrası yöntemlerden daha üstündür. Test numuneleri, lazer ve iyon demeti frezeleme kombinasyonu kullanılarak imal edilen, nano ölçekli kalınlıkta serbest duran bir çekme test bölümüne sahip olan tek kristal bakır (SCC) folyodan oluşur. SCC, bana kazınmış bir silikon tabana monte edilmiştir.Chanical destek ve elektrik izolasyonu sağlarken ısı emici olarak hizmet eder. Bu geometriyi, yüksek akım yoğunluğunda (~ 3,500 A / mm2) bile test bölümü ihmal edilebilir bir sıcaklık artışı (&lt;0,02 ° C) geçirir ve böylece Joule ısıtma etkileri ortadan kalkar. Malzeme deformasyonunu izlemek ve mikroyapılara karşılık gelen değişiklikleri, örneğin yer değiştirmeleri tanımlamak, bir dizi TEM görüntüsünü edinmek ve analiz etmek suretiyle gerçekleştirilir. Tekli ve polikristalin bakır gibi farklı mikroyapılara sahip malzemeleri test etmek için kolayca kullanılabilir olduklarından, numune hazırlama ve yerinde deney prosedürleri sağlam ve çok yönlüdür.

Yukarıda açıklandığı gibi hazırlama ve test, Şekil 6a&#39;da gösterilen tekli kristal bakır (SCC) örneğine benzer şekilde, ölçüsünde kırılan bir numuneye neden olmalıdır. Mekanik arıza, dirençteki büyük bir artışa eşlik etmeli ve SCC örneğinin yalıtımlı yıkayıcılar ve oksit kaplı silikon çerçeve ile elektriksel olarak izole edildiğinden emin olmalıdır. Numunedeki düzlemsel çıkıklar, bir zon ekseni etrafında odaklanmış TEM&#39;in parlak alan modu kullanılarak gözlemlenmelidir. Akış stresine ulaşana kadar gerginliği kademeli olarak arttırarak (verim sonrası denge durumu) çıkık hareketi görünür olmalıdır ( Şekil 6 b ). Ek gerilme ve / veya uygulanan akım ile ilgili çıkık hareketleri sürekli olarak izlenebilir. şekilŞekil 7, bir SCC numunesi üzerinde bir EAD deneyi sırasında temsili görüntüleri göstermektedir 13 . Numunayı, son-verim denge durumuna soktuktan sonra herhangi bir akım uygulamadan ek gerilme uygulanmıştır (bkz. Şekil 7 b 1 ). Bu, Şekil 7 b2&#39;deki okla gösterildiği gibi yeni bir çıkık döngüsüne (veya muhtemelen ikinci bir çıkık kayma) neden oldu. Gerilimi değiştirmeden, daha sonra 500 A / mm2&#39;lik bir akım yoğunluğu uygulandı, ancak bu herhangi bir çıkıkta belirgin hareket üretmedi ( Şekil 7b3). Akım çıkarıldı, numune bir dakika boyunca sabit tutuldu ve gerginlik tekrar yükseltildi, bir kez daha Şekil 7b&#39;deki okla belirtilen çıkık döngüsünde belirgin değişiklikler üretildi </stRong&gt; 4 . Bu sonuç, bu prosedürün elektrikle desteklenen deformasyona katılan termal ve elektrik etkilerini izole etme potansiyelini göstermektedir. Bu tekniği kullanarak daha yüksek akım yoğunluklarını (5 kA / mm2&#39;ye kadar) içeren deneyler de gerçekleştirildi ve benzer sonuçlar elde edildi. Ek gerilimin yokluğunda gözlemlenebilir ek taşınma hareketi yok. Daha yüksek akım yoğunluklarının kullanılması bu tekniğin, önceki EAD veri setlerini karmaşık hale getiren Joule ısıtmasından kaynaklanan termal stresleri kaldırma kabiliyetini vurgular. Örnek gösterge bölümünün küçüklüğünü göz önünde bulundurarak, yüksek kaliteli bir malzeme seçmek son derece önemlidir. Örneğin, ölçme kesitinin yakınındaki mikros레ül malzeme kusurları, örneğin boşluklar, materyal hazırlanırken bir numunenin felaket arızasına neden olur ( Şekil 4 g ). Bu özellikle<html> X-ışını kırınım topografisi gibi ek tahribatsız muayene yapılmadan gösterge bölümünde görünmeyen malzeme kusurlarının olup olmadığını bilmek güçtür. Bir diğer kilit zorluk, Ga iyonu implantasyonu, iyon demetiyle indüklenen çıkıklar ve lazerle indüklenen ısıtmadan amorf yapılar oluşturmak gibi lazer veya odaklanmış iyon frezelemesi sırasında olası yüzey hasarıdır. Yüzey eserlerinin çoğunluğu yumuşak bir FIB öğütme işlemi (Adım 3.3) kullanılarak uzaklaştırılabilir. Ancak bu mikrofabrikasyon tekniklerinin kullanımı, bu yüzey kusurlarının numunenin mikroyapılarını değiştirebileceği ve EAD deneysel sonuçlarını büyük ölçüde etkilediği için halen dikkatli bir değerlendirme gerektirir. Çalışmalarımızda, örneklerimizin gerçekten bozulmamış tek kristal bakır olduğunu teyit etmek için yüksek çözünürlüklü TEM görüntüleri ve kırınım modelleri kullandık. Şekil 6 c . Içeriği &quot;fo: keep-together.within-page =&quot; 1 &quot;&gt; Ölçüm bölümünün merkezinde maksimum sıcaklık artışı aşağıdaki denklem kullanılarak hesaplanabilmektedir: <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq3.jpg" /> nerede <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq4.jpg" /> Akım yoğunluğu, <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq5.jpg" /> Gösterge kesitinin uzunluğu, <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq6.jpg" /> Elektrik direnci ve <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq7.jpg" /> Isı iletkenliği. Denklem gösterge bölümündeki sıcaklık artışının çok hassas olduğunu gösterir. <img alt="Denklem" src="/files/ftp_upload/55735/55735eq8.jpg" /> Çünkü maksimum numune sıcaklığı yükselmesi doğrudan ölçme uzunluğunun karesiyle ilgilidir. Örneğin, ölçme kesitinin uzunluğunu 10 dereceden<html> M (bu çalışmada kullanılmıştır) 100 um&#39;ye kadar çıkarsa, sıcaklık artışı iki büyüklük sırasıyla artmış olurdu. ~ 0.02 ° C&#39;lik bir sıcaklık artışı yerine, sıcaklık ~ 2 ° C artmış olur ve bu muhtemelen bu çalışmada önemli bir fark yaratmış olurdu. Buna ek olarak, malzeme seçiminde sıcaklık artışı da etkilenir. Bu çalışmada kullanılan bakır nispeten düşük elektriksel dirençli ve yüksek ısı iletim katsayılarına sahiptir ve sonuç olarak, verilen bir akım yoğunluğu için, bir bakır örneğinde beklenen sıcaklık artışı, diğer malzeme örneklerine kıyasla çok daha küçük olacaktır. Bir örnek olarak bakır, bakırdan 6 kat daha yüksek direnç ve 5 kat daha az iletkenliğe sahiptir ve sonuç olarak, platin durumunda, gösterge uzunluğu ve verilen akım yoğunluğu, bakırdan daha yüksek olduğunda (yaklaşık 30 kat) beklenir. aynı. P_upload / 55735 / 55735fig1.jpg &quot;/&gt; Şekil 1: Mikro cihaz tabanlı elektromekanik test sistemi (MEMTS). Bu görüntü, önemli bileşenleri ve numunelerin TEM tutacağına nasıl uyduğunu gösteren üç boyutlu (3D) bir şemadır. Yalnızca, TEM tutucu üzerindeki numuneyi pimleri bağlayan teller gösterilmemektedir. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig1large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="şekil 2" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig2.jpg" /> Şekil 2: Silikon çerçeve imalat işlemi. Bir çıplak Si gofret ( a ), daha sonra fotolitografi kullanılarak desenlendirilmiş bir fotorezist ( b ) ile spin kaplanır. Pozlanmış fotorezist, alttaki Si gofreti ( c ) açığa çıkarmak için uzaklaştınlır. Gofret geçici olarak daha kalın bir destek gofretine birleştirilir ve reaktif olurİyon aşındırma (RIE), daha ince üstteki gofretten ( d - e ) oymak için kullanılır. Aseton, foto rezistansı çıkarmak ve destek gofretini ( f ) ayırmak için kullanılır. Ardından, bir silikon oksit katman kazınmış gofretin ( g ) tüm yüzeyinde biriktirilir. Son olarak, tek tek çerçeveler, destek tırnaklarını ( h ) dikkatlice çekerek gofretten ayrılır. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig2large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="Şekil 3" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig3.jpg" /> Şekil 3: Metalik numune imalatı. ( A ) bir dizi bakır numunesi ( b ) tek bir numune ve ( c ) bir gösterge bölümünün yakınlaştırma görünümü. Üretim prosesi adımları, ( d </sTrong&gt;), bu, ( b ) &#39;de A --- A boyunca kesittir. İnce bir folyonun her iki tarafı, lazerle keserken ( d , üstte) numuneyi korumak için fotorezist ile kaplanır. Yapılar lazer ile işlenir ( d , saniye) ve daha sonra pürüzsüz kenarlar ( d , üçüncü) üretmek için kazınır. Birçok numune, ( a ) &#39;da gösterildiği gibi tek bir üretim aşamasından üretilebilir. Son olarak, fotorezisti sıyrılır ve tek tek numuneler numune tabakasından ( d , alt) hafifçe çıkarılır. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig3large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="Şekil 4" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig4.jpg" /> Şekil 4: Odaklanmış iyon demeti (FIB) freze resimleri. Resim ( a ) Si çerçeveye bağlanan örneği ve yakın plan görüntüsünü göstermektedir(Inset) lazer ile kesildikten sonra destekleyin. Resimler ( b ) - ( e ), art arda FIB geçişi esnasında kademeli olarak inceltilen gösterge bölümünü göstermektedir. Her geçiş, yüzey işlemeyi iyileştirmek ve öğütme işlemi nedeniyle malzeme özellik değişikliklerini azaltmak için daha az malzeme kaldırır. Bununla birlikte, mastar kesit hatalarının ( f ) kalması mümkündür , bu da herhangi bir gerinme uygulanmadan bile malzeme arızasına neden olabilir ( g ). <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig4large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="Şekil 5" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig5.jpg" /> Şekil 5: TEM haznesine monte edilmiş numune. ( A ) ve ( b ) bir TEM tutucuda birleştirilmiş örnekleri ve gösterge bölümünün pürüzsüz yüzeyleri ile genTüm FIB öğütme. Numune Si çerçeveye bağlandıktan ve gümüş teller iletken epoksi ( c ) kullanılarak bağlandıktan sonra, Si çerçevesindeki iki dairesel delik, numuneyi TEM tutucuya monte etmek için kullanılır. İletken olmayan yıkayıcılar numuneyi TEM tutucudan izole etmek için kullanılır. Son olarak, gümüş teller iletken epoksi kullanılarak TEM tutucu pimlerine bağlanır. 13 , AIP Publishing&#39;in izniyle değiştirildi. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig5large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="Şekil 6" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig6.jpg" /> Şekil 6: Temsili Tek kristal bakır (SSC) örneği. ( A ) gösterge bölümünün arızalanmasından sonra alınan gösterge bölümünü ( Şekil 1&#39;deki A konumu) göstermektedir. ( B </stronG&gt;), düzlem dislokasyonlarını gösteren gösterge bölümünün parlak bir alan görüntüsüdür. ( C ) gösterge bölümündeki kırınım desenini göstermektedir. 13 , AIP Publishing&#39;in izniyle değiştirildi. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig6large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a> <img alt="Şekil 7" src="/files/ftp_upload/55735/55735fig7.jpg" /> Şekil 7: Yerinde EAD deneysel TEM görüntüleri. Bu görüntüler, çıkık hareketi üzerindeki mekanik ve elektrik yük etkilerini ortaya koymaktadır. ( B1 ) - ( b4 ) ( a ) &#39;daki Alan ( b )&#39; nin yakınlaştırma görünümünü göstermektedir . ( B1 ) numuneyi, bir verim sonrası denge durumunda gösterir. (B2), ( b2 ) &#39;de gösterilen durumun ötesinde ek gerilme sonucu ortaya çıkan çıkık halkası oluşumunu tanımlar <strong&gt; B1). Akım uygulandığında herhangi bir değişiklik gözlenmemiştir ( b3 ). Bir kez gerginlik arttıkça, tekrar çıkık değişikliklerine dikkat edildi ( b4 ). AIP Publishing&#39;in izni ile 13&#39;ü yayımladı. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/55735/55735fig7large.jpg" target="_blank">Bu rakamın daha büyük bir versiyonunu görmek için lütfen tıklayınız.</a>

Watch this Scientific Journal Video about A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens at JoVE.com

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Makroskopik numuneler kullanılarak elektriksel ve termal etkilerin elektrikle desteklenen deformasyon (EAD) üzerinde izole edilmesi çok zordur. Uygulanan akımın joule ısınması olmayan oluşum üzerindeki etkisini ve bu numuneler üzerindeki çıkıntının evrimini değerlendirmek için metalik örnek mikro ve nanoyapılar ile özel bir test prosedürü geliştirildi.

Için yeni bir yöntem<em&gt; Yerinde</emNanoscale Örneklerinin Elektromekanik Karakterizasyonu

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and ...

a-novel-method-for-situ-electromechanical-characterization-nanoscale

Universidad de Cartagena UDEC

Research

JoVE Journal

Engineering

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

9.2K Görüntüleme.  US Naval Research Laboratory.  Makroskopik numuneler kullanılarak elektriksel ve termal etkilerin elektrikle desteklenen deformasyon (EAD) üzerinde izole edilmesi çok zordur. Uygulanan akımın joule ısınması olmayan oluşum üzerindeki etkisini ve bu numuneler üzerindeki çıkıntının evrimini değerlendirmek için metalik örnek mikro ve nanoyapılar ile özel bir test prosedürü geliştirildi. 

Video: A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. The aggressive scaling of feature sizes, both on devices and interconnects, leads to serious challenges to ensure the required product reliability. Standard reliability tests and post-mortem failure analysis provide only limited information about the physics of failure mechanisms and degradation kinetics. Therefore it is necessary to develop new experimental approaches and procedures to study the TDDB failure mechanisms and degradation kinetics in particular. In this paper, an in situ experimental methodology in the transmission electron microscope (TEM) is demonstrated to investigate the TDDB degradation and failure mechanisms in Cu/ULK interconnect stacks. High quality imaging and chemical analysis are used to study the kinetic process. The in situ electrical test is integrated into the TEM to provide an elevated electrical field to the dielectrics. Electron tomography is utilized to characterize the directed Cu diffusion in the insulating dielectrics. This experimental procedure opens a possibility to study the failure mechanism in interconnect stacks of microelectronic products, and it could also be extended to other structures in active devices.

In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. This paper demonstrates the procedure of an in situ TDDB experiment in the transmission electron microscope, which opens a possibility to study the failure mechanism in microelectronic products.

Transmisyon Elektron Mikroskobu Situ Zamana bağlı Dielektrik Dağılımı In: Bir imkanı Mikroelektronik aygıtlar Başarısızlık Mekanizması Anlayın

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. ...

Mühendislik

Environmentally-controlled Microtensile Testing of Mechanically-adaptive Polymer Nanocomposites for ex vivo Characterization

Implantable microdevices are gaining significant attention for several biomedical applications1-4. Such devices have been made from a range of materials, each offering its own advantages and shortcomings5,6. Most prominently, due to the microscale device dimensions, a high modulus is required to facilitate implantation into living tissue. Conversely, the stiffness of the device should match the surrounding tissue to minimize induced local strain7-9. Therefore, we recently developed a new class of bio-inspired materials to meet these requirements by responding to environmental stimuli with a change in mechanical properties10-14. Specifically, our poly(vinyl acetate)-based nanocomposite (PVAc-NC) displays a reduction in stiffness when exposed to water and elevated temperatures (e.g. body temperature). Unfortunately, few methods exist to quantify the stiffness of materials in vivo15, and mechanical testing outside of the physiological environment often requires large samples inappropriate for implantation. Further, stimuli-responsive materials may quickly recover their initial stiffness after explantation. Therefore, we have developed a method by which the mechanical properties of implanted microsamples can be measured ex vivo, with simulated physiological conditions maintained using moisture and temperature control13,16,17. 
To this end, a custom microtensile tester was designed to accommodate microscale samples13,17 with widely-varying Young's moduli (range of 10 MPa to 5 GPa). As our interests are in the application of PVAc-NC as a biologically-adaptable neural probe substrate, a tool capable of mechanical characterization of samples at the microscale was necessary. This tool was adapted to provide humidity and temperature control, which minimized sample drying and cooling17. As a result, the mechanical characteristics of the explanted sample closely reflect those of the sample just prior to explantation.
The overall goal of this method is to quantitatively assess the in vivo mechanical properties, specifically the Young's modulus, of stimuli-responsive, mechanically-adaptive polymer-based materials. This is accomplished by first establishing the environmental conditions that will minimize a change in sample mechanical properties after explantation without contributing to a reduction in stiffness independent of that resulting from implantation. Samples are then prepared for implantation, handling, and testing (Figure 1A). Each sample is implanted into the cerebral cortex of rats, which is represented here as an explanted rat brain, for a specified duration (Figure 1B). At this point, the sample is explanted and immediately loaded into the microtensile tester, and then subjected to tensile testing (Figure 1C). Subsequent data analysis provides insight into the mechanical behavior of these innovative materials in the environment of the cerebral cortex.

Environmentally-controlled Microtensile Testing of Mechanically-adaptive Polymer Nanocomposites for ex vivo Characterization

A method is discussed by which the in vivo mechanical behavior of stimuli-responsive materials is monitored as a function of time. Samples are tested ex vivo using a microtensile tester with environmental controls to simulate the physiological environment. This work further promotes understanding the in vivo behavior of our material.

Için Mekanik-adaptif Polimer Nanokompozitler bir çevre kontrollü Mikrogerilim Test<em&gt; Ex vivo</em&gt; Karakterizasyonu

Implantable microdevices are gaining significant attention for several biomedical applications1-4. Such devices have been made from a range of materials, ...

Biyomühendislik

Studying Dynamic Processes of Nano-sized Objects in Liquid using Scanning Transmission Electron Microscopy

Samples fully embedded in liquid can be studied at a nanoscale spatial resolution with Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) using a microfluidic chamber assembled in the specimen holder for Transmission Electron Microscopy (TEM) and STEM. The microfluidic system consists of two silicon microchips supporting thin Silicon Nitride (SiN) membrane windows. This article describes the basic steps of sample loading and data acquisition. Most important of all is to ensure that the liquid compartment is correctly assembled, thus providing a thin liquid layer and a vacuum seal. This protocol also includes a number of tests necessary to perform during sample loading in order to ensure correct assembly. Once the sample is loaded in the electron microscope, the liquid thickness needs to be measured. Incorrect assembly may result in a too-thick liquid, while a too-thin liquid may indicate the absence of liquid, such as when a bubble is formed. Finally, the protocol explains how images are taken and how dynamic processes can be studied. A sample containing AuNPs is imaged both in pure water and in saline.

This protocol describes the operation of a liquid flow specimen holder for scanning transmission electron microscopy of AuNPs in water, as used for the observation of nanoscale dynamic processes.

Tarama Transmisyon Elektron Mikroskobu kullanılarak Sıvı Nano-ölçekli Nesnelerin dinamik Süreçlerinin İncelenmesi

Samples fully embedded in liquid can be studied at a nanoscale spatial resolution with Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) using a ...

In Situ Characterization of Boehmite Particles in Water Using Liquid SEM

In situ imaging and elemental analysis of boehmite (AlOOH) particles in water is realized using the System for Analysis at the Liquid Vacuum Interface (SALVI) and Scanning Electron Microscopy (SEM). This paper describes the method and key steps in integrating the vacuum compatible SAVLI to SEM and obtaining secondary electron (SE) images of particles in liquid in high vacuum. Energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) is used to obtain elemental analysis of particles in liquid and control samples including deionized (DI) water only and an empty channel as well. Synthesized boehmite (AlOOH) particles suspended in liquid are used as a model in the liquid SEM illustration. The results demonstrate that the particles can be imaged in the SE mode with good resolution (i.e., 400 nm). The AlOOH EDX spectrum shows significant signal from the aluminum (Al) when compared with the DI water and the empty channel control. In situ liquid SEM is a powerful technique to study particles in liquid with many exciting applications. This procedure aims to provide technical know-how in order to conduct liquid SEM imaging and EDX analysis using SALVI and to reduce potential pitfalls when using this approach.

In Situ Characterization of Boehmite Particles in Water Using Liquid SEM

We present a procedure for real-time imaging and elemental composition analysis of boehmite particles in deionized water by in situ liquid Scanning Electron Microscopy.

Situ Su sıvı SEM kullanarak Boehmite parçacıklar karakterizasyonu

In situ imaging and elemental analysis of boehmite (AlOOH) particles in water is realized using the System for Analysis at the Liquid Vacuum Interface ...

Kimya

Characterization Of Multi-layered Fish Scales (Atractosteus spatula) Using Nanoindentation, X-ray CT, FTIR, and SEM

The hierarchical architecture of protective biological materials such as mineralized fish scales, gastropod shells, ram&#8217;s horn, antlers, and turtle shells provides unique design principles with potentials for guiding the design of protective materials and systems in the future. Understanding the structure-property relationships for these material systems at the microscale and nanoscale where failure initiates is essential. Currently, experimental techniques such as nanoindentation, X-ray CT, and SEM provide researchers with a way to correlate the mechanical behavior with hierarchical microstructures of these material systems1-6. However, a well-defined standard procedure for specimen preparation of mineralized biomaterials is not currently available. In this study, the methods for probing spatially correlated chemical, structural, and mechanical properties of the multilayered scale of A. spatula using nanoindentation, FTIR, SEM, with energy-dispersive X-ray (EDX) microanalysis, and X-ray CT are presented.

Characterization Of Multi-layered Fish Scales Atractosteus spatula Using Nanoindentation, X-ray CT, FTIR, and SEM

This paper presents the methods used for probing spatially correlated chemical, structural, and mechanical properties of the multilayered scale of Atractosteus spatula (A. spatula) using nanoindentation, Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and X-ray computed tomography (X-ray CT). The experimental results have been used to investigate the design principles of protective biological materials.

Çok katmanlı Balık Ölçekler (Of Karakterizasyonu<em&gt; Atractosteus spatula</em&gt;) Nanoindentation, X-ray CT, FTIR ve SEM kullanma

The hierarchical architecture of protective biological materials such as mineralized fish scales, gastropod shells, ram&#8217;s horn, antlers, and turtle ...

Probing Surface Electrochemical Activity of Nanomaterials using a Hybrid Atomic Force Microscope-Scanning Electrochemical Microscope (AFM-SECM)

Scanning electrochemical microscopy (SECM) is used to measure the local electrochemical behavior of liquid/solid, liquid/gas and liquid/liquid interfaces. Atomic force microscopy (AFM) is a versatile tool to characterize micro- and nanostructure in terms of topography and mechanical properties. However, conventional SECM or AFM provides limited laterally resolved information on electrical or electrochemical properties at nanoscale. For instance, the activity of a nanomaterial surface at crystal facet levels is difficult to resolve by conventional electrochemistry methods. This paper reports the application of a combination of AFM and SECM, namely, AFM-SECM, to probe nanoscale surface electrochemical activity while acquiring high-resolution topographical data. Such measurements are critical to understanding the relationship between nanostructure and reaction activity, which is relevant to a wide range of applications in material science, life science and chemical processes. The versatility of the combined AFM-SECM is demonstrated by mapping topographical and electrochemical properties of faceted nanoparticles (NPs) and nanobubbles (NBs), respectively. Compared to previously reported SECM imaging of nanostructures, this AFM-SECM enables quantitative assessment of local surface activity or reactivity with higher resolution of surface mapping.

Probing Surface Electrochemical Activity of Nanomaterials using a Hybrid Atomic Force Microscope-Scanning Electrochemical Microscope AFM-SECM

Atomic force microscopy (AFM) combined with scanning electrochemical microscopy (SECM), namely, AFM-SECM, can be used to simultaneously acquire high-resolution topographical and electrochemical information on material surfaces at nanoscale. Such information is critical to understanding heterogeneous properties (e.g., reactivity, defects, and reaction sites) on local surfaces of nanomaterials, electrodes and biomaterials.

Hibrit Atomik Kuvvet Mikroskobu-Taramalı Elektrokimyasal Mikroskop (AFM-SECM) Kullanarak Nanomalzemelerin Yüzey Elektrokimyasal Aktivitesinin Yoklandırılması

Scanning electrochemical microscopy (SECM) is used to measure the local electrochemical behavior of liquid/solid, liquid/gas and liquid/liquid interfaces. ...

Performing In Situ Closed-Cell Gas Reactions in the Transmission Electron Microscope

Gas reactions studied by in situ electron microscopy can be used to capture the real-time morphological and microchemical transformations of materials at length scales down to the atomic level. In situ closed-cell gas reaction (CCGR) studies performed using (scanning) transmission electron microscopy (STEM) can separate and identify localized dynamic reactions, which are extremely challenging to capture using other characterization techniques. For these experiments, we used a CCGR holder that utilizes microelectromechanical systems (MEMS)-based heating microchips (hereafter referred to as &#34;E-chips&#34;). The experimental protocol described here details the method for performing in situ gas reactions in dry and wet gases in an aberration-corrected STEM. This method finds relevance in many different materials systems, such as catalysis and high-temperature oxidation of structural materials at atmospheric pressure and in the presence of various gases with or without water vapor. Here, several sample preparation methods are described for various material form factors. During the reaction, mass spectra obtained with a residual gas analyzer (RGA) system with and without water vapor further validates gas exposure conditions during reactions. Integrating an RGA with an in situ CCGR-STEM system can, therefore, provide critical insight to correlate gas composition with the dynamic surface evolution of materials during reactions. In situ/operando studies using this approach allow&#160;for detailed investigation of the fundamental reaction mechanisms and kinetics that occur at specific environmental conditions (time, temperature, gas, pressure), in real-time, and at high spatial resolution.

Performing In Situ Closed-Cell Gas Reactions in the Transmission Electron Microscope

Here, we present a protocol for performing in situ TEM closed-cell gas reaction experiments while detailing several commonly used sample preparation methods.

İletim Elektron Mikroskobunda In Situ Kapalı Hücreli Gaz Reaksiyonlarının Gerçekleştirilmesi

Gas reactions studied by in situ electron microscopy can be used to capture the real-time morphological and microchemical transformations of materials at ...

Micromechanical Tension Testing of Additively Manufactured 17-4 PH Stainless Steel Specimens

This study presents a methodology for the rapid fabrication and micro-tensile testing of additively manufactured (AM) 17-4PH stainless steels by combining photolithography, wet-etching, focused ion beam (FIB) milling, and modified nanoindentation. Detailed procedures for proper sample surface preparation, photo-resist placement, etchant preparation, and FIB sequencing are described herein to allow for high throughput (rapid) specimen fabrication from bulk AM 17-4PH stainless steel volumes. Additionally, procedures for the nano-indenter tip modification to allow tensile testing are presented and a representative micro specimen is fabricated and tested to failure in tension. Tensile-grip-to-specimen alignment and sample engagement were the main challenges of the micro-tensile testing; however, by reducing the indenter tip dimensions, alignment and engagement between the tensile grip and specimen were improved. Results from the representative micro-scale in situ SEM tensile test indicate a single slip plane specimen fracture (typical of a ductile single crystal failure), differing from macro-scale AM 17-4PH post-yield tensile behavior.

Presented here is a procedure for measuring fundamental material properties through micromechanical tension testing. Described are the methods for micro-tensile specimen fabrication (allowing rapid micro-specimen fabrication from bulk material volumes by combining photolithography, chemical etching, and focused ion beam milling), indenter tip modification, and micromechanical tension testing (including an example).

Katkılı Olarak Üretilen 17-4 PH Paslanmaz Çelik Numunelerin Mikromekanik Gerilim Testi

This study presents a methodology for the rapid fabrication and micro-tensile testing of additively manufactured (AM) 17-4PH stainless steels by combining ...

Atomic Force Microscopy Cantilever-Based Nanoindentation: Mechanical Property Measurements at the Nanoscale in Air and Fluid

An atomic force microscope (AFM) fundamentally measures the interaction between a nanoscale AFM probe tip and the sample surface. If the force applied by the probe tip and its contact area with the sample can be quantified, it is possible to determine the nanoscale mechanical properties (e.g., elastic or Young&#39;s modulus) of the surface being probed. A detailed procedure for performing quantitative AFM cantilever-based nanoindentation experiments is provided here, with representative examples of how the technique can be applied to determine the elastic moduli of a wide variety of sample types, ranging from kPa to GPa. These include live mesenchymal stem cells (MSCs) and nuclei in physiological buffer, resin-embedded dehydrated loblolly pine cross-sections, and Bakken shales of varying composition.
Additionally, AFM cantilever-based nanoindentation is used to probe the rupture strength (i.e., breakthrough force) of phospholipid bilayers. Important practical considerations such as method choice and development, probe selection and calibration, region of interest identification, sample heterogeneity, feature size and aspect ratio, tip wear, surface roughness, and data analysis and measurement statistics are discussed to aid proper implementation of the technique. Finally, co-localization of AFM-derived nanomechanical maps with electron microscopy techniques that provide additional information regarding elemental composition is demonstrated.

Quantifying the contact area and force applied by an atomic force microscope (AFM) probe tip to a sample surface enables nanoscale mechanical property determination. Best practices to implement AFM cantilever-based nanoindentation in air or fluid on soft and hard samples to measure elastic modulus or other nanomechanical properties are discussed.

Atomik Kuvvet Mikroskobu Konsol Tabanlı Nanogirinti: Hava ve Sıvıda Nanoölçekte Mekanik Özellik Ölçümleri

An atomic force microscope (AFM) fundamentally measures the interaction between a nanoscale AFM probe tip and the sample surface. If the force applied by ...

A Virtual Simulation Experiment of Mechanics: Material Deformation and Failure Based on Scanning Electron Microscopy

This work presents a set of comprehensive virtual experiments to detect material deformation and failure. The most commonly used pieces of equipment in mechanics and material disciplines, such as a metallographic cutting machine and a high-temperature universal creep testing machine, are integrated into a web-based system to provide different experimental services to users in an immersive and interactive learning environment. The protocol in this work is divided into five subsections, namely, the preparation of the materials, molding the specimen, specimen characterization, specimen loading, nanoindenter installation, and SEM in situ experiments, and this protocol aims to provide an opportunity for users regarding the recognition of different equipment and the corresponding operations, as well as the enhancement of laboratory awareness, etc., using a virtual simulation approach. To provide clear guidance for the experiment, the system highlights the equipment/specimen to be used in the next step and marks the pathway that leads to the equipment with a conspicuous arrow. To mimic the hands-on experiment as closely as possible, we designed and developed a three-dimensional laboratory room, equipment, operations, and experimental procedures. Moreover, the virtual system also considers interactive exercises and registration before using chemicals during the experiment. Incorrect operations are also allowed, resulting in a warning message informing the user. The system can provide interactive and visualized experiments to users at different levels.

This work presents a three-dimensional virtual simulation experiment for material deformation and failure that provides visualized experimental processes. Through a set of experiments, users can become familiar with the equipment and learn the operations in an immersive and interactive learning environment.

Mekaniğin Sanal Bir Simülasyon Deneyi: Taramalı Elektron Mikroskobuna Dayalı Malzeme Deformasyonu ve Arızası

This work presents a set of comprehensive virtual experiments to detect material deformation and failure. The most commonly used pieces of equipment in ...

Için yeni bir yöntem

Özet

Daha Fazla Video Keşfet