JoVE Logo

Войдите в систему

10.11 : Динамика уровня Ферми

Уровень вакуума обозначает энергетический порог, необходимый для того, чтобы электрон покинул поверхность материала. Обычно он расположен над зоной проводимости полупроводника и служит эталоном для сравнения энергий электронов в различных материалах.

Сродство к электрону в полупроводниках относится к энергетической щели между минимумом зоны проводимости проводника и уровнем вакуума и является критическим параметром, определяющим, насколько легко полупроводник может принимать дополнительные электроны.

Работа выхода представляет собой наименьшее количество энергии, необходимое для перемещения электрона с уровня Ферми (энергетического уровня, на котором вероятность присутствия электрона составляет 50%), на уровень вакуума. Это значение варьируется в зависимости от материала: металлы обычно демонстрируют высокие значения работы выхода в диапазоне от 2 до 5 эВ, что объясняется густонаселенностью их уровней Ферми.

Полупроводники, с другой стороны, демонстрируют динамические рабочие функции из-за различной природы их уровней Ферми, на которые влияют такие факторы, как легирование и изменения температуры.

Когда металл и полупроводник вступают в контакт, они стремятся к равновесию, что приводит к равномерному уровню вакуума на переходе за счет переноса заряда, продолжающемуся до тех пор, пока уровни Ферми обоих материалов не выровняются. Это вызывает изгиб энергетической зоны внутри полупроводника, что приводит к созданию барьера Шоттки — потенциального энергетического барьера для электронов, движущихся через переход металл-полупроводник.

Высота барьера Шоттки определяет проводимость перехода и определяется соотношением между работой выхода металла и сродством полупроводника к электрону.

Теги

Fermi LevelVacuum LevelElectron AffinityWork FunctionConduction BandSemiconductorCharge TransferSchottky BarrierEnergy Band BendingConductivity

Из главы 10:

article

Now Playing

10.11 : Динамика уровня Ферми

Basics of Semiconductors

204 Просмотры

article

10.1 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

607 Просмотры

article

10.2 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

497 Просмотры

article

10.3 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

454 Просмотры

article

10.4 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

464 Просмотры

article

10.5 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

360 Просмотры

article

10.6 : Основы теории полупроводников

Basics of Semiconductors

427 Просмотры

article

10.7 : Смещение PN-перехода

Basics of Semiconductors

372 Просмотры

article

10.8 : Переходы металл-полупроводник

Basics of Semiconductors

257 Просмотры

article

10.9 : Смещение переходов металл-полупроводник

Basics of Semiconductors

180 Просмотры

article

10.10 : Уровень Ферми

Basics of Semiconductors

418 Просмотры

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены