JoVE Logo

Zaloguj się

10.11 : Dynamika poziomu Fermiego

Poziom próżni oznacza próg energii wymagany do ucieczki elektronu z powierzchni materiału. Zwykle jest umieszczony powyżej pasma przewodnictwa półprzewodnika i służy jako punkt odniesienia do porównywania energii elektronów w różnych materiałach.

Powinowactwo elektronów w półprzewodnikach odnosi się do przerwy energetycznej pomiędzy minimum pasma przewodnictwa a poziomem próżni i jest parametrem krytycznym przy określaniu, jak łatwo półprzewodnik może przyjąć dodatkowe elektrony.

Funkcja pracy reprezentuje najmniejszą ilość energii potrzebną do przeniesienia elektronu z poziomu Fermiego, czyli poziomu energii, na którym elektron ma 50% szans na obecność, do poziomu próżni. Wartość ta różni się w zależności od materiału, przy czym metale zazwyczaj wykazują wysokie funkcje pracy w zakresie od 2 do 5 eV, co przypisuje się ich gęsto zaludnionym poziomom Fermiego.

Z drugiej strony półprzewodniki wykazują dynamiczne funkcje pracy ze względu na zmienny charakter ich poziomów Fermiego, na który wpływają takie czynniki, jak domieszkowanie i zmiany temperatury.

Kiedy metal i półprzewodnik stykają się, szukają równowagi, co prowadzi do jednolitego poziomu próżni na złączu poprzez przeniesienie ładunku, aż do zrównania się poziomów Fermiego obu materiałów. Powoduje to zagięcie pasma energii w półprzewodniku, co prowadzi do powstania bariery Schottky’ego, potencjalnej bariery energetycznej dla elektronów przemieszczających się przez złącze metal-półprzewodnik.

Wysokość bariery Schottky'ego reguluje przewodność złącza i jest określona przez związek między funkcją wyjścia metalu a powinowactwem elektronowym półprzewodnika.

Tagi

Fermi LevelVacuum LevelElectron AffinityWork FunctionConduction BandSemiconductorCharge TransferSchottky BarrierEnergy Band BendingConductivity

Z rozdziału 10:

article

Now Playing

10.11 : Dynamika poziomu Fermiego

Basics of Semiconductors

200 Wyświetleń

article

10.1 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

601 Wyświetleń

article

10.2 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

490 Wyświetleń

article

10.3 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

445 Wyświetleń

article

10.4 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

460 Wyświetleń

article

10.5 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

355 Wyświetleń

article

10.6 : Podstawy półprzewodników

Basics of Semiconductors

410 Wyświetleń

article

10.7 : Polaryzacja złącza P-N

Basics of Semiconductors

361 Wyświetleń

article

10.8 : Złącza metal-półprzewodnik

Basics of Semiconductors

250 Wyświetleń

article

10.9 : Polaryzacja złączy metal-półprzewodnik

Basics of Semiconductors

176 Wyświetleń

article

10.10 : Poziom Fermiego

Basics of Semiconductors

395 Wyświetleń

JoVE Logo

Prywatność

Warunki Korzystania

Zasady

Badania

Edukacja

O JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Wszelkie prawa zastrzeżone