12.6 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Frekans Tepkisi

Ortak yayıcı konfigürasyondaki bir Çift Kutuplu Bipolar Bağlantı Transistörünün frekans tepkisi, özellikle alternatif akım (AC) sinyallerinin yükseltilmesini içeren uygulamalarda işlevselliği açısından kritik öneme sahiptir. Bu yanıt, çeşitli iç parametreler ve dış koşullar dikkate alınarak düşük frekanslı ve yüksek frekanslı eşdeğer devreler aracılığıyla analiz edilebilir.

Düşük Frekans Yanıtı: Düşük frekanslarda BJT'nin davranışı, yayıcı-taban voltajı, taban akımı ve toplayıcı akımı tarafından belirlenen DC öngerilim noktası tarafından belirlenir. Amplifikatörün çalışmasını etkileyen yük hattı aynı zamanda uygulanan voltaj ve yük direnci ile de tanımlanır. Bu aralıkta, giriş voltajına küçük bir AC sinyali eklendiğinde, baz akımı zamanla dalgalanır ve çıkış akımında buna karşılık gelen değişikliklere yol açar. Düşük frekanslı eşdeğer devredeki kritik parametreler arasında dirençler ve geçiş iletkenliği yer alır; ikincisi, kolektör akımındaki (IC) ve verici-taban voltajındaki (VEB) değişiklikler arasındaki ilişkiyi açıklar.

Yüksek Frekans Yanıtı: Giriş sinyali frekansı arttıkça, Bipolar Bağlantı Transistörünün eşdeğer devresinin, yayıcı-taban kavşağında tükenme ve difüzyon kapasitansları ve toplayıcı-taban kavşağında tükenme kapasitansı gibi ek unsurları hesaba katması gerekir. Bu kapasitanslar, Bipolar Bağlantı Transistörünün davranışını karmaşıklaştıran faz kaymalarına ve frekansa bağlı kayıplara neden olur. Yüksek frekanslar aynı zamanda taban genişliği modülasyon etkisini de hesaba katarak sonlu çıkış iletkenliği sağlar.

Yüksek frekanslı eşdeğer devre bu karmaşıklıkları birleştirerek hızlı sinyal değişiklikleri altında transistörün performansının kapsamlı bir görünümünü sağlar. Bu geliştirilmiş devre, yüksek hızlı uygulamalarda transistörün davranışını doğru bir şekilde tahmin etmek için çok önemlidir ve bu da onu pratik amplifikatörlerin ve diğer elektronik cihazların tasarımında temel haline getirir.