JoVE Logo

Войдите в систему

12.6 : Частотная характеристика BJT

Частотная характеристика биполярного переходного транзистора (BJT) в конфигурации с общим эмиттером имеет решающее значение для его функциональности, особенно в приложениях, связанных с усилением сигналов переменного тока (AC). Этот отклик можно проанализировать с помощью низкочастотных и высокочастотных эквивалентных схем с учетом различных внутренних параметров и внешних условий.

Низкочастотный отклик: на низких частотах поведение биполярного транзистора определяется его точкой смещения постоянного тока, которая задается напряжением эмиттер-база, током базы и током коллектора. Линия нагрузки, влияющая на работу усилителя, также определяется приложенным напряжением и сопротивлением нагрузки. В этом диапазоне, когда небольшой сигнал переменного тока накладывается на входное напряжение, ток базы колеблется со временем, что приводит к соответствующим изменениям выходного тока. Критические параметры низкочастотной эквивалентной схемы включают сопротивление и крутизну — последняя описывает взаимосвязь между изменениями тока коллектора (IC) и напряжения эмиттер-база (VEB).

Высокочастотный отклик: по мере увеличения частоты входного сигнала эквивалентная схема биполярного транзистора должна учитывать дополнительные элементы, такие как истощающая и диффузионная емкости на переходе эмиттер-база и истощающая емкость на переходе коллектор-база. Эти емкости вносят фазовые сдвиги и частотно-зависимые потери, усложняя поведение биполярного транзистора. Высокие частоты также учитывают эффект модуляции ширины базы, что приводит к конечной выходной проводимости.

Высокочастотная эквивалентная схема объединяет эти сложности, обеспечивая полное представление о работе транзистора при быстрых изменениях сигнала. Эта усовершенствованная схема имеет решающее значение для точного прогнозирования поведения транзистора в высокоскоростных приложениях, что делает ее фундаментальной для проектирования практических усилителей и других электронных устройств.

Теги

BJT Frequency ResponseLow frequency ResponseHigh frequency ResponseCommon emitter ConfigurationDC Bias PointLoad LineTransconductanceEmitter base Junction CapacitanceCollector base Junction CapacitanceBase Width ModulationHigh speed ApplicationsAmplifier Design

Из главы 12:

article

Now Playing

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

702 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

500 Просмотры

article

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

362 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

363 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

612 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

918 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

612 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

359 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

323 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

928 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

285 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

352 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

208 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

678 Просмотры

article

12.15 : Транзистор MOSFET

Transistors

411 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены