JoVE Logo

Войдите в систему

12.17 : Полевой МОП-транзистор: расширенный режим

МОП-транзисторы расширенного режима являются ключевыми компонентами электроники, отличающимися своей способностью действовать как высокоэффективные переключатели. Они являются частью более крупного семейства металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Они доступны в двух типах: p-канальные и n-канальные, каждый из которых предназначен для работы с определенной полярностью.

В своей базовой форме полевые МОП-транзисторы расширенного режима обычно не проводят ток, когда напряжение затвор-исток (V_gs) равно нулю. Это состояние «выключено» по умолчанию означает, что между клеммами стока и истока ток не протекает, если не применяется положительное напряжение V_gs. Когда прикладывается это напряжение, оно генерирует электрическое поле, которое притягивает электроны (для n-канала) или дырки (для p-канала) к оксидному слою, эффективно создавая так называемый инверсионный слой. Этот слой образует проводящий канал между истоком и стоком, позволяя току течь.

Уникальной особенностью МОП-транзисторов расширенного режима является их способность контролировать величину тока стока (i_d) путем регулировки V_gs. Увеличение V_gs увеличивает проводимость канала, тем самым позволяя проходить большему току. Такое соотношение между V_gs и id делает эти устройства превосходными для приложений точного управления, таких как регулировка яркости светодиодных фонарей с помощью диммера. Здесь вращение ручки диммера изменяет V_gs; при нулевом напряжении светодиоды выключены, а при увеличении напряжения яркость светодиодов постепенно увеличивается.

Кроме того, МОП-транзисторы расширенного режима идеально подходят для схем переключения мощности и создания логических элементов КМОП-типа (комплементарный МОП-транзистор) в интегральных схемах благодаря их высокому входному значению и низкому сопротивлению в открытом состоянии. Эти характеристики обеспечивают эффективное, высокоскоростное переключение с минимальными потерями мощности, что делает МОП-транзисторы расширенного режима незаменимыми в современной электронной конструкции.

Теги

MOSFETEnhancement modeField effect TransistorN channelP channelGate source VoltageInversion LayerDrain CurrentPower SwitchingCMOS LogicElectronic Design

Из главы 12:

article

Now Playing

12.17 : Полевой МОП-транзистор: расширенный режим

Transistors

277 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

511 Просмотры

article

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

371 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

374 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

621 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

932 Просмотры

article

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

718 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

621 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

362 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

329 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

945 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

290 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

362 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

212 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

686 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены