本课程深入讨论 SN1 反应中的立体化学结果。
在 SN1 反应的第一步中,亲电子碳和离去基团之间的键离子化,生成碳阳离子中间体。 该机制的第二步是亲核攻击。
在形成的碳正离子中,带正电的碳与三角形平面几何形状进行 sp2 杂化。 由于所有三个取代基都位于同一平面上,因此形成了碳正离子的对称平面,使其成为非手性的。 因此,亲核试剂可以以相同的可能性和速率从任一侧接近这种对称碳正离子。
前端攻击会导致构型保留,而后端攻击则会导致产物构型反转。 然而,在非手性底物中,无论采用哪种攻击方式,都没有观察到产物构型的差异; 在手性底物中,预计会出现光学非活性外消旋混合物。
然而,由于电离步骤而无法实现完全外消旋化,因此经常观察到主要是反转产物的对映体过量。 电离后,离子保持松散关联,形成紧密的离子对。 在此期间,阴离子保护碳正离子免受正面攻击,直到它们扩散开。 因此,亲核试剂更容易攻击不受阻碍的背面,导致产物构型反转。 一旦完全解离,碳阳离子的两侧都可以被取代,并获得产物的外消旋混合物。 因此,总体而言,在 SN1 反应中观察到反向产物的净过量。
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