هنا هو لمحة عامة عن البروتوكول. نبدأ من خلال إعداد الحل الكهربائي، خلط المياه، جلايكول الإثيلين، وحمض الطرطريك. بعد ذلك، الشرائح الزجاجية الركيزة تحتاج إلى تنظيفها بواسطة سونيكيشن في محلول المنظفات القلوية، الأسيتون وisopropanol تليها تنظيف البلازما RF.
يتم بناء TFT عن طريق إيداع قطب الألومنيوم على ركائز الزجاج النظيف. تليها اسيدة في أكسيد الألومنيوم تتخبط من طبقة نشطة أكسيد الزنك والتبخر الحراري أقطاب مصدر الصرف. تتم عملية اسيد الألومنيوم من خلال غمر الركيزة الزجاجية المغلفة الألومنيوم وطبقة مطلية بالذهب، ورقة الفولاذ المقاوم للصدأ متصلة وحدة قياس مصدر.
تبدأ العملية بتطبيق التيار الثابت في النظام مع زيادة الجهد الخطي حتى الجهد النهائي الذي يحدد سمك أكسيد. لذلك، يتم الحفاظ على الجهد ثابت حتى التيار عبر النظام قطرات إلى الصفر. يتم تنفيذ التوصيف الكهربائي لـ TFTs عن طريق توصيل وحدة قياس مصدر قناة مزدوجة بالبوابة، وتصريف وأقطاب المصدر.
يتم الحصول على منحنى النقل عن طريق تغيير الجهد البوابة في مصدر استنزاف ثابت الجهد وقياس مصدر التصريف الحالي. يمكن تحديد التنقل الكهربائي من منحنى نقل TFT. يتم تنفيذ تصميم بلاكيت-بورمان للتجارب عن طريق وضع العلامات على عوامل أنودينغ، أيهما من ركوب من مستوى منخفض إلى مستوى عال، يحدد من الظروف التجريبية.
تتكون مصفوفة بلاكيت-بورمان من قبل اثني عشر أشواط تجريبية، والتي تتوافق مع مجموعات مختلفة من عوامل أنوديم في المستويات المحددة سلفا. نحن نقدم هنا في بروتوكول لبناء أكسيد الزنك مملوءة القصدير الترانزستورات باستخدام أكسيد الألومنيوم المذبذب كطبقة عازلة بوابة. نظهر أنه من الممكن تحسين أداء TFTS من خلال تغيير معلمات عملية البرمجة للوَيَدَد فقط في الممارسات العازلة البوابة.
يتم إعداد المحلول الكهربائي عن طريق خلط 84 مل من جلايكول الإثيلين إلى 1.5 غرام من حمض الترتاريتش. لذلك، إضافة 16 مل من المياه ديوند إلى الحل، يهز بلطف الحل. بعد ذلك ، قم بتحريك المحلّل لمدة 30 دقيقة تقريبًا حتى حل حمض الطرطريك تمامًا.
إعداد اثنين من حلول الأسهم من هيدروكسيد الأمونيا لضبط درجة الH من المنحل بالكهرباء. ويمكن أن يكون الحل أكثر تركيزا حوالي 28٪ وأقل تركيزا حول 2٪ جعل التكيف الخشنة من pH باستخدام أكثر تركيزا محلول هيدروكسيد الأمونيوم. عندما يكون الرقم الـ (PH) قريباً من القيمة المطلوبة، خمسة أو ستة، استخدم المحلّل الأقل تركيزاً لضبط درجة السّكّر بدقة.
يبدأ إجراء التنظيف الركيزة عن طريق sonicating الركائز الزجاج في محلول المنظفات القلوية، 5٪ في حجم في 16 درجة مئوية لمدة 50 دقيقة. بعد ذلك ، يتم شطف الركائز بوفرة في المياه الأيونية لإزالة أي مخلفات. جفف الركيزة عن طريق النفخ بالهواء النقي أو الجاف أو النيتروجين.
الركائز المجففة هي سونيكاتيد مرة أخرى في الأسيتون لمدة خمس دقائق. إزالة من الأسيتون وتجف مرة أخرى في الهواء الجاف النقي أو النيتروجين. سونيكات مرة أخرى في ايزوبروبانول لمدة خمس دقائق.
إزالة من ايزوبروبانول وكرر إجراء التجفيف. تحميل ركائز في نظافة البلازما RF وإخلاء الغرفة. عندما يتحقق الفراغ، بدوره على الترددات اللاسلكية في السلطة المتوسطة وترك لمدة خمس دقائق لإنهاء عملية التنظيف.
إزالة ركائز من نظافة البلازما وتحميلها في حامل عينة مع أقنعة الظل المناسبة للتبخر الحراري من القطب بوابة الألومنيوم. قناع الظل، هو ورقة قطع الليزر المقاوم للصدأ الذي يحدد منطقة القطب بوابة الألومنيوم. أدخل الشرائح الزجاجية في غرفة التبخر الحراري وابدأ إجراء الترسيب.
إيداع قطب بوابة الألومنيوم مع التحكم الدقيق في معدل التبخر والسمك النهائي للفيلم. بعد التبخر، وإزالة العينات من الغرفة. وتحقق إذا كانت الأقطاب قد أودعت بشكل صحيح.
يبدأ نقل اليود من قطب بوابة الألومنيوم عن طريق ربط الشريحة الزجاجية المغلفة بالألمنيوم وورقة الفولاذ المقاوم للصدأ المطلية بالذهب بموصلات القصاصات. ولذلك، يتم غمر الأقطاب الكهربائية في المحلل الكهربائي ويتم توصيل الكابلات إلى وحدة قياس المصدر. تطبيق التيار الثابت على الأقطاب الكهربائية.
انخفاض الجهد قد لزيادة خطيا، مما يدل على أن نمو أكسيد الألومنيوم يحدث بشكل صحيح. عندما يتحقق الجهد النهائي المنشأة، التبديل SMU إلى وضع الجهد المستمر والانتظار حتى قطرات الحالية إلى الصفر. بعد الانتهاء من إجراء إزالة اليود ، شطف الركازة بوفرة في المياه الأيونية.
والانتهاء من خلال تجفيف الركيزة في الهواء الجاف، والهواء النقي أو النيتروجين. يتم تنفيذ ترسب الطبقة النشطة الترانزستور عن طريق إدراج الركيزة مع طبقة أكسيد الألومنيوم ذات اليود في أقنعة الظل المناسبة. الأقنعة تسمح الغطاء الانتقائي من أكسيد الزنك خلال ترسب التخبط.
أدخل العينات في هذه الغرفة التخبط وبدء عملية الترسب. التحكم في معدل الترسيب و السمك النهائي للطبقة النشطة TFT. بعد ترسب التخبط ، قم بإزالة العينات من الغرفة وإعدادها للتبخر الحراري للصرف الكهربائي ومصدره.
يتم الانتهاء من تصنيع الترانزستور عن طريق تبخر اصرف الألومنيوم والأقطاب الكهربائية المصدر عن طريق التبخر الحراري باستخدام أقنعة الظل المناسبة. تصميم قناع المستخدمة يسمح تصنيع ثلاثة ترانزستور في كل ركيزة. أدخل العينات في غرفة التبخر وابدأ إجراء الترسب.
بعد تبخر بالوعة الألومنيوم وأقطاب مصدر، وإزالة العينات من الغرفة. إزالة العينات من الأقنعة والتحقق من الأقطاب الكهربائية. الترانزستورات جاهزة للتوصيف الكهربائي.
يتم تنفيذ التوصيف الكهربائي لـ TFT عن طريق الاتصال بالصرف، وأقطاب المصدر والبوابات باستخدام موصلات المسبار الربيعي. ولذلك فإن الأقطاب الكهربائية متصلة بمصدر قناة مزدوجة ووحدة قياس. يتم الحصول على منحنيات الترانزستور المميزة عن طريق استقطاب الأقطاب الكهربائية والكهرباء المصدر ، وكذلك قطب البوابة وقياس تيار القناة.
يتم تحليل المعلمات الكهربائية TFT من خلال رسم منحنى نقل TFT والجذر التربيعي للتيار استنزاف كدالة من الجهد البوابة. يسمح منحدر المنحنى بتحديد قدرة الجهاز على الحركة. إن اعتراض ميل المنحنى مع المحور س يحدد الجهد العتبي TFT.
تحليل النتائج التي تم الحصول عليها من انحناء Placket بورمان تصميم التجارب ، ويمكن تنفيذها من قبل برنامج تحليل مثل العلاج الكيميائي. اختر التصميم التجريبي وأدخل مع بيانات الإدخال. لذلك، حساب التأثيرات المقابلة لكل معلمات أنودية وتحليل النتائج بواسطة رسم البيانات في مخطط Pareto التأثيرات.
الرسم البياني باريتو، يسمح لك لترتيب عوامل اسيدة من خلال تأثير على جهاز محدد استجابة المعلمة مثل التنقل TFT. لذا فإن بلاكيت -بورمان مفيد لعدد من الأسباب المختلفة. أولاً، يسمح لك بدراسة عدد من العوامل المختلفة، بشكل منهجي وفي وقت واحد.
وباستخدام الأساليب الإحصائية مثل ANOVA والتراجع، فإنه يسمح لك بتحديد وفهم أهم العوامل والعوامل الأقل أهمية التي تؤثر على عملية اسيدة. لذلك نعتقد أن نهج بلاكيت-بورمان قيّم جدا في الإلكترونيات المطبوعة. فهو يسمح لك بسرعة وفعالية الشاشة عدد من العوامل المختلفة وتحسين العوامل بطريقة منهجية جدا وسريعة.
على الرغم من أننا قمنا بتطوير هذا النهج لتكويد، يمكن استخدامه في العديد من المجالات الأخرى ضمن التطوير الإلكتروني المطبوع.
