12.10 : Bipolar Bağlantı Transistörlü Yükselteçlerin Küçük Sinyal Analizi

Küçük sinyal analizi, Bipolar Bağlantı Transistörlü (BJT) amplifikatörün sinyalleri nasıl işlediğini anlamak için elektronikte kullanılan temel bir yaklaşımdır. Aktif bölgede Bipolar Bağlantı Transistör doğrusal amplifikasyon için tasarlanmıştır. Transistörün bu koşullar altındaki davranışı, anlık taban-verici voltajı V_BE, DC öngeriliminin V_BE toplamı ve küçük bir AC sinyali V_BE tarafından yönetilir ve bu da toplayıcı akımı i_C ile sonuçlanır. Burada kollektör akımının bir DC bileşeni ve bir AC bileşeni vardır.

Burada V_T termal voltajdır.

AC giriş sinyali V_BE, VT'den önemli ölçüde küçük olduğunda, toplayıcı akımının AC bileşeninin ifadesini elde etmek için küçük bir sinyal yaklaşımı kullanılabilir. Toplayıcı akımının AC bileşeni, kollektörün DC bileşeninin zamanla değişen giriş voltajıyla çarpımının termal voltaja oranıdır.

Kollektör akımının AC bileşeninin giriş sinyaline oranı geçiş iletkenliği olarak bilinir. BJT'nin voltaj kazancı, Bipolar Bağlantı Transistörünün iletkenliğinin ve yük direncinin bir fonksiyonudur.

Burada negatif işaret, giriş ve çıkış sinyalleri arasında 180 derecelik bir faz kaymasını ifade eder.

Bipolar Bağlantı Transistörünün (BJT) tabanında, küçük sinyal taban-verici direnci r_π, giriş empedansı değerlendirmeleri için çok önemlidir ve şu şekilde belirlenir:

Bu direnç, transistörün giriş sinyallerine tepkisini etkiler ve DC ön gerilim akımıyla ters orantılıdır.

Küçük sinyal analizi yoluyla, küçük giriş varyasyonlarına sahip Bipolar Bağlantı Transistör (BJT) amplifikatörlerinin ayrıntılı performansı, elektronik devre tasarımında hassas bir şekilde karakterize edilebilir ve kullanılabilir.