JoVE Logo

Войдите в систему

12.18 : МОП-транзистор: режим истощения

МОП-транзисторы в режиме истощения представляют собой уникальную разновидность технологии МОП-транзисторов, функционирующую принципиально иначе, чем их аналоги в режиме улучшения. В отличие от улучшающих МОП-транзисторов, которым для включения требуется положительное напряжение затвор-исток (V_gs), МОП-транзисторы в режиме истощения по своей природе являются проводящими и «нормально включенными» устройствами.

Основной характеристикой МОП-транзисторов с режимом истощения является их способность проводить ток между выводами стока и истока без смещения затвора. Эта собственная проводимость возникает из-за легирования канала, которое создает путь с низким сопротивлением для прохождения тока. Устройство работает аналогично полевым транзисторам с переходным соединением (JFET), где проводимость канала предопределена свойствами его материала.

В n-канальных МОП-транзисторах с режимом обеднения применение положительного V_gs увеличивает ширину канала, тем самым увеличивая ток стока (i_d). И наоборот, применение отрицательного V_gs сужает канал, уменьшая i_d. Противоположное поведение наблюдается для МОП-транзисторов с истощением p-канала, где положительное значение V_gs уменьшает i_d, а отрицательное V_gs увеличивает его.

Критическим параметром для этих МОП-транзисторов является пороговое напряжение затвора (V_TH), определенное напряжение V_gs, при котором канал полностью закрывается, прекращая протекание тока. Другой важной характеристикой является ток насыщения, максимальный ток, протекающий через МОП-транзистор при нулевом V_gs.

Из-за своего «включенного» состояния по умолчанию МОП-транзисторы в режиме истощения особенно полезны в таких приложениях, как усилители мощности для радиопередатчиков. Здесь они обеспечивают непрерывную передачу сигнала, поддерживая его присутствие до тех пор, пока управляющее напряжение явно не выключит устройство. Эта способность оставаться постоянно активными делает МОП-транзисторы в режиме истощения незаменимыми для приложений, требующих надежной и бесперебойной работы.

Теги

MOSFETDepletion ModeEnhancement ModeChannelDrainSourceGate BiasJunction Field Effect Transistors JFETsN channelP channelGate Threshold Voltage VTHSaturation CurrentPower AmplifiersRadio Transmitters

Из главы 12:

article

Now Playing

12.18 : МОП-транзистор: режим истощения

Transistors

311 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

511 Просмотры

article

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

371 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

374 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

621 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

932 Просмотры

article

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

718 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

621 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

362 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

329 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

945 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

290 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

362 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

212 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

686 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены