Na análise de pequenos sinais, um amplificador MOSFET atua como um amplificador linear quando operando em sua região de saturação. A tensão porta-fonte (V_GS) do MOSFET é a soma da tensão de polarização CC e do pequeno sinal de entrada variável no tempo. Esta combinação configura o ponto de operação e modula a corrente de dreno (I_D) que flui do dreno para a fonte. Quando um pequeno sinal de CA é sobreposto à tensão de polarização de CC na porta, a corrente de dreno instantânea compreende três partes:
Para sinais pequenos, onde a amplitude do componente de CA da V_GS é suficientemente pequena, o componente não linear da corrente de dreno (que inclui termos proporcionais ao quadrado do sinal de entrada) torna-se insignificante. Ao ignorar esses termos não lineares, o comportamento do MOSFET pode ser aproximado linearmente, simplificando bastante a análise.
A transcondutância do MOSFET (g_m), que representa a taxa de mudança da corrente de dreno em resposta às mudanças na V_GS, avaliada no ponto de polarização é definida por:
Onde V_GS0 é a tensão de polarização DC.
Na região linear de operação, a corrente de saída de pequenos sinais (i_d) é dada por:
Onde v_gs é o componente de pequeno sinal do V_GS. O ganho de tensão (A_v) do amplificador é dado por:
Onde R_L é a resistência da carga conectada ao dreno. O sinal negativo na equação de ganho de tensão indica que o sinal de saída está invertido em relação ao sinal de entrada.
Do Capítulo 12:
Now Playing
Transistors
505 Visualizações
Transistors
574 Visualizações
Transistors
377 Visualizações
Transistors
386 Visualizações
Transistors
629 Visualizações
Transistors
954 Visualizações
Transistors
741 Visualizações
Transistors
634 Visualizações
Transistors
364 Visualizações
Transistors
392 Visualizações
Transistors
965 Visualizações
Transistors
302 Visualizações
Transistors
416 Visualizações
Transistors
217 Visualizações
Transistors
707 Visualizações
See More
Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Todos os direitos reservados