I transistor a giunzione bipolare (BJT) sono classificati in vari tipi in base alle loro configurazioni, ciascuno con caratteristiche e applicazioni distinte. Le configurazioni si differenziano principalmente in base al terminale (base, emettitore o collettore), comune ai circuiti di ingresso e di uscita.
La configurazione di base comune è nota per il suo guadagno ad alta tensione, posizionandolo come la scelta ideale per circuiti amplificatori a stadio singolo, come i preamplificatori microfonici. Una caratteristica notevole di questa configurazione è la tendenza a ridurre il segnale della corrente di ingresso, poiché la corrente del collettore di uscita è generalmente inferiore alla corrente dell'emettitore di ingresso.
Al contrario, la configurazione con emettitore comune, è il tipo più utilizzato negli amplificatori basati su transistor, grazie alla sua impedenza di ingresso, corrente e guadagno di potenza superiori rispetto alla configurazione di base comune. Funziona come un amplificatore invertente, producendo un segnale di uscita sfasato di 180 gradi rispetto al segnale di ingresso, rendendolo essenziale per varie esigenze di amplificazione.
Infine, la configurazione del collettore comune, nota anche come circuito inseguitore di emettitore o circuito inseguitore di tensione, è nota per la sua impedenza di ingresso eccezionalmente elevata e l'impedenza di uscita relativamente bassa. Sebbene il suo guadagno di tensione sia leggermente inferiore a uno, fornisce una sostanziale amplificazione di corrente. Questa configurazione, che non inverte il segnale di ingresso, è particolarmente utile per l'adattamento dell'impedenza e funge da buffer di tensione in numerose applicazioni. Ciascuna configurazione offre vantaggi unici, rendendo i BJT componenti versatili nella progettazione di circuiti elettronici.
Dal capitolo 12:
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