12.15 : ترانزستور الموسفيت

The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, or MOSFET is a semiconductor device with three terminals: the Source, the Drain, and the Gate and is also known as IGFET, MISFET, and MOST.

It can be either n-channel or p-channel, depending on the doping of the substrate and the source or drain regions.

In an n-channel MOSFET, the substrate has two heavily doped n-type source and drain regions. A thin layer of silicon dioxide is grown on the surface, and metal is deposited on top to form the gate electrode.

With zero gate voltage, no current flows from the source to the drain except for a small leakage current.

When a positive bias is applied at the gate, the electrons from the substrate move towards the gate, forming an inversion layer and enabling a large flow of electrons from the source to the drain. The conductance of this channel can be modulated by varying the gate voltage.

The conventional current flows from the drain to the source and is called the Drain Current.

MOSFETs are integral in various applications, including smartphones, laptops, and electric cars.

يلعب الترانزستور ذو التأثير الميداني المصنوع من أشباه الموصلات المعدنية والأكسيدية (MOSFET) دورًا محوريًا في الإلكترونيات الحديثة، وذلك بفضل تعدد استخداماته وكفاءته في التحكم في التيارات الكهربائية. يُعرف هذا الجهاز أيضًا باسم IGFET وMISFET وMOSFET.لها ثلاث محطات رئيسية: المصدر، والصرف، والبوابة. يتم تصنيف الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFETs) إلى أنواع قناة n أو قناة p استنادًا إلى خصائص المنشطات الخاصة بالركيزة ومناطق المصدر أو الصرف.

في n-MOSFET، يشتمل الهيكل على مصدر من النوع n ومناطق تصريف معزولة عن ركيزة من النوع p بواسطة ثنائيات p-n متحيزة عكسيًا. تتكون البوابة من لوحة معدنية موضوعة فوق طبقة أكسيد وملامسة أومية على الركيزة، وتشكل الأطراف الأربعة لـ MOSFET. في ظل الظروف العادية مع عدم تطبيق جهد على البوابة، يظل n-MOSFET مغلقًا، مع عدم تدفق تيار كبير من المصدر إلى المصرف باستثناء تيار تسرب ضئيل.

ومع ذلك، فإن تطبيق انحياز إيجابي على بوابة n-MOSFET يخلق قناة n، مما يسهل تدفق تيار كبير. يمكن تعديل توصيل هذه القناة عن طريق تغيير جهد البوابة، مما يسمح بالتحكم الدقيق في التيار بين مناطق المصدر الثابت والصرف.

تعتبر الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) مكونات أساسية في تطبيقات مختلفة، بدءًا من المعالجات الدقيقة في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة وحتى أنظمة إدارة الطاقة في السيارات الكهربائية. إن قدرتها على التحكم بكفاءة في التيار مع الحد الأدنى من فقدان الطاقة يجعلها لا غنى عنها في تطوير التكنولوجيا عبر مختلف القطاعات.

Tags

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor IGFET MISFET N channel P channel Electrical Currents Source Drain Gate N MOSFET P type Substrate Doping Characteristics Current Control Power Management Systems Microprocessors Technology Advancement

From Chapter 12:

article

Now Playing

12.15 : ترانزستور الموسفيت

Transistors

427 Views

article

12.1 : الترانزستور ثنائي القطب

Transistors

594 Views

article

12.2 : تكوينات BJT

Transistors

379 Views

article

12.3 : مبدأ عمل BJT

Transistors

397 Views

article

12.4 : خصائص BJT

Transistors

633 Views

article

12.5 : طرق تشغيل BJT

Transistors

966 Views

article

12.6 : الاستجابة الترددية لـ BJT

Transistors

759 Views

article

12.7 : تردد القطع لـ BJT

Transistors

647 Views

article

12.8 : تبديل ترانزيستورات BJTs

Transistors

364 Views

article

12.9 : مكبرات الصوت BJT

Transistors

409 Views

article

12.10 : تحليل الإشارة الصغيرة لمضخمات BJT

Transistors

997 Views

article

12.11 : ترانزستور التأثير الميداني

Transistors

309 Views

article

12.12 : خصائص JFET

Transistors

422 Views

article

12.13 : انحياز FETs

Transistors

218 Views

article

12.14 : مكثف MOS

Transistors

711 Views

See More

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved