Complementary Metal-Oxide-Semiconductor High-Density Microelectrode Array System을 사용한 급성 뇌 절편에서 고품질 발작 유사 활동

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06:28 min

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September 27th, 2024

DOI :

10.3791/67065-v

September 27th, 2024

•

Melissa L. Blotter*¹^,², Isaac W. Stubbs*¹^,², Jacob H. Norby*¹^,², Maxwell Holmes¹^,², Ben Kearsley³, Alexis Given¹, Kutter Hine¹^,⁴, Micah R. Shepherd⁵, R. Ryley Parrish¹^,²

¹Department of Cell Biology and Physiology, Brigham Young University, ²Neuroscience Center, Brigham Young University, ³Department of Statistics, Brigham Young University, ⁴Department of Biology, Brigham Young University, ⁵Department of Physics and Astronomy, Brigham Young University

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Introduction

1:00

Equipment Preparation for CMOS‐HD‐MEA Experimentation

2:23

Chip Preparation and Placement of Brain Slice to Record High‐Quality Seizure‐Like Activity Using CMOS‐HD‐MEA System

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