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Preparazione di grande superficie 2D cristallo etero-strutture verticali attraverso il Sulfurization di film di metalli di transizione per la fabbricazione di dispositivi

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08:50 min

November 28th, 2017

DOI :

10.3791/56494-v

November 28th, 2017


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0:05

Title

0:47

WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth

3:49

Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer

6:21

Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance

8:11

Conclusion

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