assisté par plasma épitaxie par faisceau moléculaire de N-polaire InAlN-barrière Transistors à haute mobilité d'électrons
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.
8.5K Views
•
10:31 min
•
November 24th, 2016
DOI :
November 24th, 2016
•Chapitres dans cette vidéo
0:05
Title
0:53
RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
4:36
N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
8:03
Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
9:30
Conclusion
Vidéos Associées
09:53
Spectrométrie de masse moléculaire Faisceau Avec Vacuum Ultraviolet Radiation accordable (VUV) Synchrotron
12.9K Views
15:47
Nanofabrication de la porte définis-GaAs / AlGaAs latéraux Quantum Dots
16.1K Views
07:50
Electron Canalisation imagerie de contraste pour Rapid III-V hétéroépitaxiale Caractérisation
11.0K Views
14:58
Silicium métal-oxyde-semiconducteur Quantum Dots pour le pompage mono-électronique
14.4K Views
10:36
Méthodes expérimentales avancées pour basse température magnétotransport mesure de nouveaux matériaux
10.5K Views
14:16
Fabrication de Diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructure passé épitaxie de faisceau moléculaire assistée par Plasma
7.6K Views
13:05
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg 3 N 2 and Zn 3 N 2 Thin Films Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg 3 N 2 and Zn 3 N 2 Thin Films Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films Plasma-
7.5K Views
07:00
Graphène-Assisté Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film sur substrat saphir nano-modelé pour les diodes électroluminescentes ultraviolettes
7.1K Views
12:32
L’effet des paramètres d’anodisation sur la couche diélectrique d’oxyde d’aluminium des transistors minces
8.7K Views
09:49
Microscopie électronique de transmission in situ avec biais et fabrication de barres transversales asymétriques basées sur la phase mixte a-VOx
4.0K Views
À PROPOS DE JoVE
Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Tous droits réservés.